[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)器的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610088241.5
• 申請(qǐng)日: 2016-02-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106992176A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇承志;王子嵩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/115
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/115;H01L27/11563
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種存儲(chǔ)器的制造方法，包括：

在一基底上形成多個(gè)電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其中相鄰兩個(gè)電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)之間具有一第一溝槽，且該第一溝槽延伸至該基底中；

在該第一溝槽的表面形成一介電襯層；

在該介電襯層上形成一氮化物層；

在該第一溝槽中填入一第一介電層；

在該些電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)與該第一介電層上形成一第二介電層；

在該第二介電層上形成一導(dǎo)體層；以及

移除該第一介電層，而在相鄰兩個(gè)電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)之間的該第二介電層下方形成一第一氣隙。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中各該電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：

電荷存儲(chǔ)層，設(shè)置在該基底上；以及

穿隧介電層，設(shè)置于該電荷存儲(chǔ)層與該基底之間。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中在形成該氮化物層之前，還包括：

在該第一溝槽中形成一保護(hù)層，且該保護(hù)層的頂面高于該穿隧介電層的頂面；

以該保護(hù)層為掩模，移除部分該介電襯層，以暴露出部分該電荷存儲(chǔ)層；以及

在移除部分該介電襯層之后，移除該保護(hù)層。

4.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第一介電層的頂面低于該電荷存儲(chǔ)層的頂面。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中該電荷存儲(chǔ)層包括浮置柵極。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中該氮化物層的形成方法包括對(duì)該介電襯層進(jìn)行一氮化制作工藝。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中該氮化制作工藝包括等離子體氮化制作工藝、氣體氮化制作工藝、離子氮化制作工藝或真空氮化 制作工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，還包括對(duì)該導(dǎo)體層進(jìn)行一圖案化制作工藝，而形成多條字符線，其中各該字符線的延伸方向與該第一氣隙的延伸方向相交。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中該圖案化制作工藝還包括移除位于相鄰兩條字符線之間的該第二介電層與至少部分該電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，而在相鄰兩條字符線之間形成一第二溝槽。

10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器的制造方法，還包括在該些字符線上形成一覆蓋層，且該覆蓋層在該第二溝槽的頂部進(jìn)行封口，而形成一第二氣隙。

11.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第二氣隙的延伸方向與該第一氣隙的延伸方向相交。

12.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，在形成該第一氣隙之后，還包括對(duì)該氮化物層進(jìn)行一氧化制作工藝，而將該氮化物層轉(zhuǎn)變成一氧化物層。

13.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第一氣隙延伸至該基底中。