[發(fā)明專利]在{110}＜100＞取向的襯底上的基于半導(dǎo)體的大面積的柔性電子器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610087674.9
• 申請日: 2008-09-09
• 公開（公告）號: CN106653822A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阿米特·戈亞爾
• 申請（專利權(quán)）人: 阿米特·戈亞爾
• 主分類號: H01L29/04
• 分類號: H01L29/04;H01L29/12;H01L29/20;H01L31/0392;H01L21/02;B82Y10/00
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 張瑞,鄭霞

1.一種多晶電子器件，包括：

a.柔性的、退火的、多晶粒的金屬或合金襯底，其具有相應(yīng)于{110}<100>的一次再結(jié)晶織構(gòu)或二次再結(jié)晶織構(gòu)，具有小于10度的織構(gòu)的鑲嵌或銳利度；

b.在所述襯底上的至少一個外延的多晶半導(dǎo)體器件層，所述半導(dǎo)體器件層具有相應(yīng)于單取向的晶體織構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述半導(dǎo)體器件層是由來自元素周期表的兩個或更多個不同族的元素組成的二元化合物半導(dǎo)體、三元化合物半導(dǎo)體或四元化合物半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述半導(dǎo)體器件層相應(yīng)于相同的族內(nèi)的元素的元素半導(dǎo)體或合金或包括元素周期表的第IB族、第IIIA族和第VIA族的元素的化合物半導(dǎo)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述襯底具有大于10mm的平均晶粒度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述襯底的面外織構(gòu)以小于5°的鑲嵌或FWHM為特征。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述多晶半導(dǎo)體器件層還具有選自由{110}<100>織構(gòu)、旋轉(zhuǎn)角小于90°的旋轉(zhuǎn)的{110}<100>織構(gòu)、{100}<100>織構(gòu)以及旋轉(zhuǎn)角小于90°的旋轉(zhuǎn)的{100}<100>織構(gòu)組成的組的晶體織構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，還包括在所述襯底上且在所述半導(dǎo)體器件層下的外延緩沖層，所述外延緩沖層選自由金屬、合金、氮化物、硼化物、氧化物、氟化物、碳化物、硅化物、與鍺的金屬間合金或其組合組成的組。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制品，其中，所述外延緩沖層具有相應(yīng)于{110}<100>或旋轉(zhuǎn)的{110}<100>織構(gòu)并且具有小于10度的織構(gòu)的鑲嵌或銳利度的晶體織構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制品，其中，所述緩沖層具有選自由以下組成的組的晶體結(jié)構(gòu)：式AN或AO的巖鹽晶體結(jié)構(gòu)，其中A是金屬并且N和O相應(yīng)于氮和氧；式ABO₃的鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，其中A和B是金屬并且O是氧；式A₂B₂O₇的燒綠石晶體結(jié)構(gòu)，其中A和B是金屬并且O是氧；以及式A₂O₃的方鐵錳礦晶體結(jié)構(gòu)，其中A是金屬并且O是氧。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制品，其中，所述緩沖層具有選自由以下組成的組的化學(xué)式：A_xB_1-xO和A_xB_1-xN，其中A和B是不同的金屬；A_xB_1-xN_yO_1-y，其中A和B是不同的金屬；(A_xB_1-x)₂O₃，其中A和B是不同的金屬；(A_xA'_1-x)BO₃、(A_xA'_1-x)(B_yB'_1-y)O₃，其中A、A'、B和B'是不同的金屬；以及(A_xA'_1-x)₂B₂O₇、(A_xA'_1-x)₂(B_yB'_1-y)₂O₇，其中A、A'、B和B'是不同的金屬。