[發明專利]一種硅刻蝕方法

在審

• 申請號: 201610087506.X
• 申請日: 2016-02-16
• 公開（公告）號: CN105609416A
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發明（設計）人: 徐麗華;李志琴;董鳳良;陳佩佩;褚衛國
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種硅刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在硅基片上制作刻蝕掩膜圖形；

(2)將制作好所述刻蝕掩膜圖形的硅基片放置在刻蝕機中進行刻 蝕；所述刻蝕機的下電極功率由100～1000Hz的脈沖電源產生，所述刻 蝕機的載片臺溫度為-120℃～-100℃。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，上述方法還包括以 下步驟：

(3)對刻蝕后的硅基片進行過刻蝕。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟(3)中 所述刻蝕機的載片臺溫度與所述步驟(2)中所述刻蝕機的載片臺溫度 相同。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蝕過程中， 所述脈沖電源的功率為3～30W，產生的脈沖信號的占空比為 10％～50％，所述刻蝕機的上電極功率為200～1000W，所述刻蝕機的真 空室壓強為5～15mTorr，所述刻蝕機采用的SF₆氣體的流量為 20～40sccm，所述刻蝕機采用的O₂氣體的流量為5～30sccm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蝕過程中， 所述脈沖電源的功率為5W，所述脈沖電源的頻率為500Hz，所述脈沖 電源產生的脈沖信號占空比為35％；所述刻蝕機的上電極功率為 400W，所述刻蝕機的真空室壓強為5mTorr，所述刻蝕機采用的SF₆氣 體的流量為20sccm，所述刻蝕機采用的O₂氣體的流量為5sccm，所述 刻蝕機的載片臺溫度為-120℃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蝕過程中， 所述脈沖電源的功率為5W，所述脈沖電源的頻率為300Hz，所述脈沖 電源產生的脈沖信號占空比設為35％；所述刻蝕機的上電極功率為 400W，所述刻蝕機的真空室壓強為9mTorr，所述刻蝕機采用的SF₆氣 體的流量為30sccm，所述刻蝕機采用的O₂氣體的流量為9sccm，所述 刻蝕機的載片臺溫度為-110℃。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蝕過程中， 所述脈沖電源的功率為30W，所述脈沖電源的頻率為1000Hz，所述脈 沖電源產生的脈沖信號占空比為50％；所述刻蝕機的上電極功率為 1000W，所述刻蝕機的真空室壓強為15mTorr，所述刻蝕機采用的SF₆氣體的流量為40sccm，所述刻蝕機采用的O₂氣體的流量為20sccm， 所述刻蝕機的載片臺溫度為-100℃。

8.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述過刻蝕過程 中，所述脈沖電源的功率為3W，所述脈沖電源的頻率為500Hz，所述 脈沖電源產生的脈沖信號占空比設為10％；所述刻蝕機的上電極功率 為400W，所述刻蝕機的真空室壓強為7mTorr，所述刻蝕機采用的SF₆氣體的流量為20sccm，所述刻蝕機采用的O₂氣體的流量為15sccm， 所述刻蝕機的載片臺溫度為-110℃。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子束膠為正 膠或者負膠。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(1)中 在硅基片上制作刻蝕掩膜圖形，包括：

在硅基片上涂覆電子束膠、曝光及顯影。