[發明專利]具有深層電荷平衡結構的雙極半導體器件有效
| 申請號： | 201610087225.4 | 申請日： | 2016-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN105938850B | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發明（設計）人： | F·烏德雷亞;A·P-S·謝;G·卡穆索;C·吳;Y·唐;R·K·維特拉 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技美國公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡洪貴 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 深層 電荷 平衡 結構 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
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