[發明專利]一種用于制備半導體電熱膜的組合物、電熱膜及制備方法

在審

• 申請號: 201610087155.2
• 申請日: 2016-02-16
• 公開（公告）號: CN105722257A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 顧偉
• 申請（專利權）人: 顧偉
• 主分類號: H05B3/34
• 分類號: H05B3/34;H05B3/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于制備半導體電熱膜的組合物，其特征在于，所述組合物由下列重量份組成：四氯化錫15-20份，四氯化鎳6-10份，石墨10-30份，三氯化銻3-6份，四氯化鈦0.2-0.4份，三氧化二銻0.2-0.6份，富勒烯0.1-0.8份，硼酸0.1~1.5份，氟硼酸0.1-1.5份，氯化鈉0.3-0.5份，水3-6份，甲苯2-4份，乙醇30-50份。

2.權利要求1所述的用于制備半導體電熱膜的組合物，其特征在于，優選四氯化錫18-20份，四氯化鎳8-10份，石墨10-20份。

3.權利要求1或2所述的用于制備半導體電熱膜的組合物，其特征在于，優選富勒烯0.3-0.6份，硼酸0.8-1.2份，氟硼酸0.9-1.5份。

4.一種制備半導體電熱膜的方法，其特征在于：

（1）配制源溶液：根據上述所述的用于制備半導體電熱膜的組合物稱取原料，混合攪拌均勻，即得半導體電熱膜源溶液；

（2）基材的清洗：將基材用蒸餾水清洗干凈，烘干待用；

（3）噴涂步驟：將基材置于加熱腔體內，加熱腔溫度控制在400-550℃，待基材表面溫度達到350-400℃，將步驟（1）中所得的半導體電熱膜源溶液霧化噴涂至基材表面；

（4）浸漬成膜：將經步驟（3）處理的基材浸入步驟（1）所得的半導體電熱膜源溶液中，然后提拉成膜；

（5）熱處理：將步驟（4）處理后的基材在約900-1000℃下熱處理30-60min，自然冷卻至室溫，獲得半導體電熱膜。

5.一種半導體電熱膜，其特征在于采用權利要求4的方法制備而成。

6.根據權利要求5所述的半導體電熱膜，其特征在于，所述半導體電熱膜在基材上的附著力為180-200N,泄漏電流小于0.10mA。