[發明專利]一種半導體硅片機械拋光清洗液及其制備方法

無效

• 申請號: 201610087053.0
• 申請日: 2016-02-16
• 公開（公告）號: CN105567445A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 韓功簣
• 申請（專利權）人: 韓功簣
• 主分類號: C11D1/66
• 分類號: C11D1/66;C11D3/20;C11D3/30;C11D3/39;C11D3/43;C11D3/12;C11D3/04;C11D3/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體硅片化學機械拋光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：檸檬酸2-4份、檸檬酸氫二銨2-4份、四甲基氫氧化銨0.1-0.3份、四丙基氫氧化銨0.1-0.3份、乙醇胺0.1-0.2份、聚醚表面活性劑0.4-0.8份、氯化鉀0.1-0.4份、氯化鈉0.1-0.3份、過硫酸鈉0.01-0.1份、去離子水20-30份、二氧化硅2-4份。

2.根據權利要求1所述的半導體硅片化學機械拋光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：檸檬酸3份、檸檬酸氫二銨3份、四甲基氫氧化銨0.2份、四丙基氫氧化銨0.2份、乙醇胺0.2份、聚醚表面活性劑0.6份、氯化鉀0.3份、氯化鈉0.2份、過硫酸鈉0.05份、去離子水20-30份、二氧化硅3份。

3.根據權利要求1或2所述的半導體硅片化學機械拋光清洗液，其特征在于，所述清洗液的pH值為8.0～12.0。

4.根據權利要求4所述的半導體硅片化學機械拋光清洗液，其特征在于，所述清洗液的pH值為9.0～11.5。

5.一種如權利要求1-4所述的半導體硅片化學機械拋光清洗液的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1：取10份去離子水注入容器，一邊攪拌一邊加入其它組分，攪拌時間為2min；

步驟2：將剩余的去離子水滴入步驟1得到的混合液中，一邊攪拌一邊測pH值，當pH值達到所需pH值時，停止滴入去離子水，繼續攪拌5min，既得半導體硅片化學機械拋光清洗液。