[發(fā)明專利]電子元件封裝體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610086675.1
• 申請日: 2016-02-16
• 公開（公告）號: CN107086204B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設計）人: 何羽軒
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/52;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種電子元件封裝體，其特征在于，包括：

可撓式基板；

第一線路結構，設置于所述可撓式基板上；

第一電子元件，設置于所述可撓式基板上，其中所述第一電子元件與所述第一線路結構相互分離；以及

第二線路結構，設置于熱塑膜上，所述熱塑膜以所述第二線路結構面對所述可撓式基板的方向熔接至所述可撓式基板，且封住所述第一電子元件，其中所述第二線路結構部分覆蓋于所述所述第一線路結構與第一電子元件上，并將所述第二線路結構將所述第一線路結構與所述第一電子元件電性連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的電子元件封裝體，其特征在于，所述第一電子元件包括集成電路芯片。

3.根據(jù)權利要求1所述的電子元件封裝體，其特征在于，所述第一線路結構與所述第一電子元件凸出于所述可撓式基板的表面或陷入于所述可撓式基板中。

4.根據(jù)權利要求1所述的電子元件封裝體，其特征在于，還包括第二電子元件，設置于所述熱塑膜上，且所述第二電子元件電性連接于所述第二線路結構。

5.一種電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

在可撓式基板上形成第一線路結構；

將第一電子元件放置于所述可撓式基板上，其中所述第一電子元件與所述第一線路結構相互分離；

在熱塑膜上形成第二線路結構；以及

將所述熱塑膜以所述第二線路結構面對所述可撓式基板的方向熔接至所述可撓式基板，且封住所述第一電子元件，其中所述第二線路結構部分覆蓋于所述第一線路結構與所述第一電子元件上，并將所述第二線路結構將所述第一線路結構與所述第一電子元件電性連接。

6.根據(jù)權利要求5所述的電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在將所述熱塑膜熔接至所述可撓式基板之前，在處理腔室中進行第一加熱處理與第一加壓處理，使所述第一線路結構與所述第一電子元件陷入于所述可撓式基板中，而使得所述第一線路結構的上表面、所述第一電子元件的上表面與所述可撓式基板的表面形成平坦表面。

7.根據(jù)權利要求5所述的電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在將所述熱塑膜熔接至所述可撓式基板之前，將所述熱塑膜放置于所述可撓式基板上，且所述第二線路結構對準所述第一線路結構與所述第一電子元件。

8.根據(jù)權利要求5所述的電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在所述熱塑膜上放置第二電子元件，且所述第二電子元件電性連接于所述第二線路結構。

9.根據(jù)權利要求5所述的電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，將所述熱塑膜熔接至所述可撓式基板的方法包括對所述熱塑膜進行第二加熱處理。

10.根據(jù)權利要求9所述的電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，將所述熱塑膜熔接至所述可撓式基板的方法包括：

在處理腔室中，進行所述第二加熱處理與第二加壓處理，使所述熱塑膜熔融。

11.根據(jù)權利要求10所述的電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，將所述熱塑膜熔接至所述可撓式基板的方法還包括：

在所述處理腔室中，使所述熱塑膜在所述第二加壓處理的壓力下進行回溫。

12.根據(jù)權利要求9所述的電子元件封裝體的制造方法，其特征在于，將所述熱塑膜熔接至所述可撓式基板的方法包括：

在處理腔室中，于第一壓力下進行所述第二加熱處理，使所述熱塑膜熔融；以及

在所述處理腔室中，使所述熱塑膜在第二壓力下進行回溫，其中所述第二壓力大于所述第一壓力。