[發(fā)明專利]基于光子晶體T型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610086377.2
• 申請日: 2016-02-15
• 公開（公告）號: CN105572921B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 歐陽征標;吳昌義;金鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳大學
• 主分類號: G02F1/095
• 分類號: G02F1/095;G02B6/122
• 代理公司: 深圳力拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44313
• 代理人: 龔健

1.一種基于光子晶體T型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：具有一個TE禁帶的光子晶體 T 型波導，包括一個TE 載波光信號輸入端、兩個輸出端、至少一個背景硅介質(zhì)柱、至少一個第一缺陷介質(zhì)柱、一個第二缺陷介質(zhì)柱；所述光路開關(guān)還包括一個電磁鐵、一個極性可控電流源；所述光子晶體T 型波導的左端為TE載波光信號輸入端、右端為第一輸出端、上端為第二輸出端，中心交叉處設(shè)置第二缺陷介質(zhì)柱；所述光子晶體T 型波導交叉的四個拐角處設(shè)置四個第一缺陷介質(zhì)柱；所述第一缺陷介質(zhì)柱為等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱; 所述電磁鐵和和所述極性可控電流源產(chǎn)生偏置磁場, 通過設(shè)置所述偏置磁場的方向，所述TE載波光信號輸入端的TE載波光信號傳輸至所述第一輸出端，或者所述第二輸出端。

2.按照權(quán)利要求 1 所述的基于光子晶體T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述光路開關(guān)還包括導線。

3. 按照權(quán)利要求 2 所述的基于光子晶體 T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述電磁鐵的一端通過所述導線與所述極性可控電流源的一端連接，另一端與所述極性可控電流源的另一端連接。

4. 按照權(quán)利要求 1 所述的基于光子晶體T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述光路開關(guān)還包括電子開關(guān)； 所述電子開關(guān)與所述極性可控電流源連接。

5.按照權(quán)利要求 1 所述的基于光子晶體 T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述光子晶體T 型波導為光子晶體中移除中間一橫排和中間一豎排介質(zhì)柱后的結(jié)構(gòu)。

6. 按照權(quán)利要求 1 所述的基于光子晶體 T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述第二缺陷介質(zhì)柱為鐵氧體方柱，其形狀為正方形。

7. 按照權(quán)利要求6 所述的基于光子晶體 T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述鐵氧體方柱的磁導率為各向異性，且受偏置磁場的控制，該偏置磁場的方向沿著鐵氧體方柱的軸線的方向。

8. 按照權(quán)利要求1 所述的基于光子晶體 T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述光子晶體T 型波導的交叉拐角處的四個背景硅介質(zhì)柱分別刪除一個角以形成等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱。

9. 按照權(quán)利要求1 所述的基于光子晶體 T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱為硅。

10. 按照權(quán)利要求 1 所述的基于光子晶體T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱為三角柱型。

11. 按照權(quán)利要求 1 所述的基于光子晶體T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述背景硅介質(zhì)柱的形狀為正方形。

12. 按照權(quán)利要求 1所述的基于光子晶體T 型波導的磁控二選一直角輸出光路開關(guān)，其特征在于：所述背景硅介質(zhì)柱以介質(zhì)柱軸Z軸方向逆時針旋轉(zhuǎn)41度。