[發明專利]光電半導體芯片和用于制造光電半導體芯片的方法

有效

• 申請號: 201610086311.3
• 申請日: 2010-12-23
• 公開（公告）號: CN105655356B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 賴納·布滕戴奇;亞歷山大·沃爾特;馬蒂亞斯·彼得;托比亞斯·邁耶;瀧哲也;胡貝特·邁瓦爾德
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;周濤

1.一種光電半導體芯片(100)，具有：

-第一半導體層序列(1)，所述第一半導體層序列包括多個V形缺陷(11)；和

-第二半導體層序列(2)，所述第二半導體層序列包括有源區(12)，其中

-所述第一半導體層序列(1)和所述第二半導體層序列(2)基于氮化物-化合物半導體材料，

-所述第一半導體層序列(1)在生長方向上位于所述第二半導體層序列(2)之前，

-所述V形缺陷(11)形成對所述有源區(12)的靜電放電保護，

-所述V形缺陷(11)中的大部分具有同種的電學性質，

-所述V形缺陷(11)中的至少75％具有相似的尺寸，

-所述V形缺陷(11)中的至少一個包括pn結，

-所述有源區(12)包括至少一個pn結，其中

-所述V形缺陷(11)的pn結和所述有源區(12)的pn結被整流，并且

-所述V形缺陷(11)的pn結在導通方向上具有比所述有源區(12)的pn結更高的啟動電壓(UF)，以及

-所述V形缺陷(11)的密度至少為1*10⁸/cm²。

2.一種光電半導體芯片(100)，具有：

-第一半導體層序列(1)，所述第一半導體層序列包括多個V形缺陷(11)；和

-第二半導體層序列(2)，所述第二半導體層序列包括有源區(12)，其中

-所述第一半導體層序列(1)和所述第二半導體層序列(2)基于氮化物-化合物半導體材料，

-所述第一半導體層序列(1)在生長方向上位于所述第二半導體層序列(2)之前，

-所述V形缺陷(11)形成對所述有源區(12)的靜電放電保護，

-所述V形缺陷(11)中的大部分具有同種的電學性質，

-所述V形缺陷(11)中的至少一個包括pn結，

-所述有源區(12)包括至少一個pn結，其中

-所述V形缺陷(11)的pn結和所述有源區(12)的pn結被整流，并且

-所述V形缺陷(11)的pn結在導通方向上具有比所述有源區(12)的pn結更高的啟動電壓(UF)，

-所述V形缺陷(11)中的至少75％具有相似的尺寸，以及

-所述V形缺陷(11)中的至少75％設置在靜電放電層(9)內，所述靜電放電層具有為所述有源區(11)的厚度的至少一半且至多三倍的厚度(d9)。

3.根據權利要求1或2所述的光電半導體芯片(100)，其中

-所述V形缺陷(11)中的至少一個包括pn結，

-所述有源區(12)包括至少一個pn結，其中

-所述V形缺陷(11)的pn結和所述有源區(12)的pn結被整流，并且

-所述V形缺陷(11)的pn結在截止方向上具有比所述有源區(12)的pn結更低的擊穿電壓(UBR)。

4.根據權利要求1所述的光電半導體芯片(100)，其中

-所述V形缺陷(11)中的至少75％設置在靜電放電層(9)內，所述靜電放電層具有為所述有源區(11)的厚度的至少一半且至多三倍的厚度(d9)。

5.根據權利要求1或2所述的光電半導體芯片(100)，其中

-在所述V形缺陷(11)的截止方向上的靜電放電電壓脈沖(4)至少通過所述V形缺陷(11)的50％流出。

6.根據權利要求1或2所述的光電半導體芯片(100)，其中

-所述V形缺陷(11)中的至少75％分別設置在線性位錯(3)的區域中。

7.根據權利要求1或2所述的光電半導體芯片(100)，其中

-所述第二半導體層序列(2)緊接所述第一半導體層序列(1)。

8.根據權利要求1或2所述的光電半導體芯片(100)，所述光電半導體芯片在工作時發射藍光和/或綠光。