[發明專利]閃速存儲器器件和系統

有效

• 申請號: 201610085541.8
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN105761751B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 賴安·T·希羅斯;波格丹·喬蓋斯庫;克里斯堤涅·松特;阿希什·阿芒卡;維賈伊·拉加萬;肖恩·馬爾霍蘭
• 申請（專利權）人: 經度快閃存儲解決方案有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/06;G11C16/30;G11C16/34
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種存儲器器件，包括：

n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管；

硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管，其耦合到所述n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管；以及

被隔離的扇區p-阱，其耦合到所述n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管和所述硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管，

其中，所述n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管耦合到豎直位線，并且被配置為在讀取操作期間不選擇所述硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管時將所述硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管與所述豎直位線隔離。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中：

所述n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管包括第一源極、第一柵極和第一漏極；并且

所述硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管包括第二源極、第二柵極和耦合到所述第一源極的第二漏極。

3.根據權利要求2所述的存儲器器件，還包括：

水平字線，其耦合到所述第一柵極；

水平硅-氧化物-氮化物-氧化物硅字線，其耦合到所述第二柵極；

豎直局部源線，其耦合到所述第二源極；以及

其中所述豎直位線耦合到所述第一漏極，所述豎直位線被配置為在讀取操作期間向所述第一漏極提供低電壓。

4.根據權利要求3所述的存儲器器件，還包括：

第一電壓輸入端，其耦合到所述水平字線；

第二電壓輸入端，其耦合到所述水平硅-氧化物-氮化物-氧化物硅字線；

第三電壓輸入端，其耦合到所述豎直局部源線；

第四電壓輸入端，其耦合到所述被隔離的扇區p-阱；以及

電流輸出端，其耦合到所述豎直位線。

5.一種非易失性存儲器，包括：

存儲器器件的陣列，其被分為多個成對的扇區；

全局位線，其耦合到所述多個扇區中的每一個，所述全局位線被配置為在擦除操作和編程操作期間向每個各自的扇區提供高電壓；

多個局部位線，它們耦合到所述多個成對的扇區中的成列的多個存儲器器件；以及

多個讀出放大器，每個讀出放大器被耦合到對應的一對扇區之間，

其中，在讀取操作期間，所述多個讀出放大器通過所述多個局部位線讀取所述多個存儲器器件。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器，其中每個存儲器器件包括：

n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管；

硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管，其耦合到所述n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管；以及

被隔離的p-阱，其耦合到所述n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管和所述硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器，其中：

所述n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管包括第一源極、第一柵極和第一漏極；以及

所述硅-氧化物-氮化物-氧化物硅晶體管包括第二源極、第二柵極和耦合到所述第一源極的第二漏極。

8.根據權利要求7所述的非易失性存儲器，其中每個存儲器器件還包括：

第一字線，其耦合到所述第一柵極；

第二字線，其耦合到所述第二柵極；

局部源線，其耦合到所述第二源極；以及

其中相應的局部位線耦合到所述第一漏極，所述相應的局部位線被配置為在讀取操作期間向所述第一漏極提供低電壓。

9.根據權利要求8所述的非易失性存儲器，其中每個存儲器器件還包括：

第一電壓輸入端，其耦合到所述第一字線；

第二電壓輸入端，其耦合到所述第二字線；

第三電壓輸入端，其耦合到所述局部源線；

第四電壓輸入端，其耦合到所述被隔離的p-阱；以及

電流輸出端，其耦合到所述局部源線。

10.根據權利要求8所述的非易失性存儲器，其中所述多個讀出放大器耦合到在所述成對的扇區中的每個局部源線。