[發明專利]一種采用AlON緩沖層的氮化物的外延生長技術有效
| 申請號： | 201610084218.9 | 申請日： | 2016-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN105755536B | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 閆發旺;張峰;李煒;謝杰 | 申請（專利權）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 alon 緩沖 氮化物 外延 生長 技術 | ||
1.一種采用AlON緩沖層的氮化物的外延生長技術，其特征在于，包括如下步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上形成氮化鋁多晶薄膜；
對所述氮化鋁多晶薄膜進行部分熱氧化處理，形成部分覆蓋所述襯底的氮化氧鋁多晶層，未被所述氮化氧鋁多晶層覆蓋的所述襯底被所述氮化鋁多晶薄膜覆蓋；
以氮化氧鋁多晶層作為緩沖層，在其上進行氮化物的外延生長。
2.根據權利要求1所述的氮化物的外延生長技術，其特征在于，所述氮化鋁多晶薄膜的厚度為10-500nm。
3.根據權利要求1所述的氮化物的外延生長技術，其特征在于，所述氮化氧鋁多晶層的厚度為10-500nm。
4.根據權利要求1所述的氮化物的外延生長技術，其特征在于，在所述襯底上形成氮化鋁多晶薄膜的方法為原子層淀積、磁控濺射、化學汽相淀積或離子束淀積方法中一種或兩種以上的組合。
5.根據權利要求1所述的氮化物的外延生長技術，其特征在于，所述襯底為藍寶石、碳化硅、硅、鋁酸鋰或砷化鎵。
6.根據權利要求1所述的氮化物的外延生長技術，其特征在于，所述氮化物的外延生長方法包括金屬有機化學汽相淀積、分子束外延或鹵化物汽相外延方法中的一種或兩種以上組合。
7.根據權利要求1所述的氮化物的外延生長技術，其特征在于，所述氮化物為氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鎵銦、氮化鋁銦或氮化鋁鎵銦及其組合。
8.根據權利要求1所述的氮化物的外延生長技術，其特征在于，在形成氮化鋁多晶薄膜之前還包括一清洗襯底的步驟。
9.一種采用權利要求1所述的氮化物的外延生長技術外延生長的氮化物，其特征在于，在所述襯底與外延生長的氮化物之間設置有一緩沖層，所述緩沖層包括部分覆蓋所述襯底的氮化氧鋁多晶層，未被所述氮化氧鋁多晶層覆蓋的所述襯底被位于所述襯底與所述氮化物之間的氮化鋁多晶薄膜覆蓋。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
