[發(fā)明專利]陣列基板、覆晶薄膜、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610083954.2 | 申請日: | 2016-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN105529338A | 公開(公告)日: | 2016-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李紅;陳立強 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/488;H01L21/60;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 薄膜 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種陣列基板、覆晶薄 膜、顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
平板顯示器為目前主要流行的顯示器,其因為具有外形輕薄、 省電以及無輻射等特點而被廣泛地應用于電腦屏幕、移動電話等 電子產(chǎn)品上。
顯示裝置主要包括彩膜基板、陣列基板、覆晶薄膜(COF, ChipOnFilm);其中,陣列基板具有用于進行顯示的顯示區(qū)和位 于顯示區(qū)外圍的綁定區(qū)(Bonding區(qū)),顯示區(qū)中引線的端頭(也 即焊盤)位于連接區(qū)中;覆晶薄膜一面設(shè)有引線和芯片,覆晶薄 膜上的引線一端與芯片連接,另一端上同樣具有焊盤,用于與顯 陣列基板上綁定區(qū)的焊盤進行綁定,將芯片所提供的信號通過引 線傳輸給陣列基板上的引線,以使顯示區(qū)進行顯示。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:當陣列基板為柔 性陣列基板時,即陣列基板的基底常采用柔性材料,例如PI、PET 等有機材料制成時,在其上形成其他膜層,以及刻蝕過孔時,會 導致柔性基底變形,此時將覆晶薄膜上的焊盤與陣列基板上的焊 盤進行綁定時,容易造成對位不準以及錯位,致使兩者綁定不牢 固或者相鄰焊盤之間發(fā)生短路的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括,針對現(xiàn)有的顯示裝置存在 的上述問題,提供一種兼容陣列基板膨脹和收縮變化的陣列基板、 覆晶薄膜、顯示面板及顯示裝置。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板,包 括多個第一焊盤,多個所述第一焊盤圍繞著所述陣列基板的顯示 區(qū)排布,且所述第一焊盤的長度方向朝向所述顯示區(qū)。
優(yōu)選的是,多個所述第一焊盤圍繞著陣列基板的顯示區(qū)均勻 排布。
優(yōu)選的是,所述陣列基板的基底為柔性基底。
優(yōu)選的是,所述陣列基板的顯示區(qū)為圓形、矩形、正多邊形 中任意一種。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種覆晶薄膜,包 括多個第二焊盤,多個所述第二焊盤呈環(huán)形排布,且所述第二焊 盤的長度方向朝向所述環(huán)形排布的中心區(qū)。
優(yōu)選的是,多個所述第二焊盤呈環(huán)形均勻排布。
優(yōu)選的是,該覆晶薄膜還包括相對設(shè)置的第一驅(qū)動器和第二 驅(qū)動器,以及多條引線;每個第二焊盤連接一條所述引線;其中 一部分所述引線與第一驅(qū)動器連接,另一部分引線與所述第二驅(qū) 動器連接。
優(yōu)選的是,該覆晶薄膜還包括驅(qū)動器和多條引線;其中,每 個第二焊盤連接一條所述引線,各個所述引線均與所述驅(qū)動器連 接。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示面板,包 括陣列基板和覆晶薄膜,所述陣列基板包括多個第一焊盤,所述 覆晶薄膜包括多個第二焊盤,所述陣列基板通過所述第一焊盤與 所述覆晶薄膜的所述第二焊盤綁定在一起,多個所述第一焊盤圍 繞著所述陣列基板的顯示區(qū)排布,且所述第一焊盤的長度方向朝 向所述顯示區(qū);多個所述第二焊盤按照多個所述第一焊盤的排布 方式設(shè)置在所述覆晶薄膜上。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置,其 包括上述的顯示面板。
本發(fā)明的顯示面板,包括陣列基板和覆晶薄膜,所述陣列基 板包括多個第一焊盤,所述覆晶薄膜包括多個第二焊盤,所述陣 列基板通過所述第一焊盤與所述覆晶薄膜的所述第二焊盤綁定在 一起,多個所述第一焊盤圍繞著所述陣列基板的顯示區(qū)排布,且 所述第一焊盤的長度方向朝向所述顯示區(qū);多個所述第二焊盤按 照多個所述第一焊盤的排布方式設(shè)置在所述覆晶薄膜上。因此, 無論陣列基板發(fā)生向外擴還是向內(nèi)縮的形變,都可以保證足夠的 綁定位置,以使第一焊盤與第二焊盤仍然可以很好的綁定在一起。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的實施例1的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明的實施例1的陣列基板第一種情況變形后與覆 晶薄膜的位置關(guān)系的示意圖;
圖3為本發(fā)明的實施例1的陣列基板第二種情況變形后與覆 晶薄膜的位置關(guān)系的示意圖;
圖4為本發(fā)明的實施例1的陣列基板第三種情況變形后與覆 晶薄膜的位置關(guān)系的示意圖;
圖5為本發(fā)明的實施例1的陣列基板第四種情況變形后與覆 晶薄膜的位置關(guān)系的示意圖;
圖6為本發(fā)明的實施例1的陣列基板第五種情況變形后與覆 晶薄膜的位置關(guān)系的示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





