[發(fā)明專利]含有分離電壓產(chǎn)生器的三維一次電編程存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610083717.6 | 申請日: | 2016-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN107046036B | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張國飆 | 申請(專利權)人: | 杭州海存信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/112 | 分類號: | H01L27/112 |
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| 地址: | 310051*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 含有 分離 電壓 產(chǎn)生器 三維 一次 編程 存儲器 | ||
本發(fā)明提出一種分離的三維一次電編程存儲器(3D?OTP)50,它含有至少一三維陣列芯片30和至少一電壓產(chǎn)生器芯片40。至少一電壓產(chǎn)生器位于電壓產(chǎn)生器芯片40內(nèi),而非三維陣列芯片30內(nèi)。電壓產(chǎn)生器為三維陣列芯片30產(chǎn)生讀/寫電壓。
技術領域
本發(fā)明涉及集成電路存儲器領域,更確切地說,涉及三維一次電編程存儲器(3D-OTP)。
背景技術
三維存儲器(3D-M)是一種單體(monolithic)半導體存儲器,它含有多個相互堆疊的存儲元。3D-M包括三維只讀存儲器(3D-ROM)和三維隨機讀取存儲器(3D-RAM)。3D-ROM可以進一步劃分為三維掩膜編程只讀存儲器(3D-MPROM)和三維電編程只讀存儲器(3D-EPROM)。基于它能電編程的次數(shù),3D-EPROM可以進一步分為三維一次電編程存儲器(3D-OTP)和三維多次電編程存儲器(3D-MTP)。3D-OTP可以是3D-memristor、三維阻變存儲器(3D-RRAM或3D-ReRAM)、三維相變存儲器(3D-PCM)、3D-PMM(programmable metallizationmemory)、或3D-CBRAM(conductive-bridging random-access memory)等。
美國專利5,835,396(發(fā)明人:張國飆;授權日:1998年11月3日)披露了一種3D-ROM,尤其是3D-OTP。如圖1A所示,3D-OTP芯片20含有一襯底電路層0K及多個堆疊于襯底電路層0K上并相互堆疊的存儲層16A、16B。襯底電路層0K含有晶體管0t及其互連線0i。晶體管0t形成在半導體襯底0中。在這個例子中,襯底互連線0i含有金屬層0M1、0M2。在本說明書中,襯底互連線0i采用的金屬層0M1、0M2被稱為襯底金屬層,襯底互連線0i采用材料被稱為襯底互連材料。
存儲層16A、16B堆疊在襯底電路層0K之上,它們通過接觸通道孔(如1av)與襯底0耦合。每個存儲層(如16A)含有多條頂?shù)刂肪€(如2a)、底地址線(如1a)和存儲元(如1aa)。存儲元可以采用二極管、晶體管或別的器件。在各種存儲元中,采用二極管的存儲元具有最小面積,僅為~4F2(F為最小特征尺寸)。二極管存儲元一般形成在頂?shù)刂肪€和底地址線的交叉點處,從而構(gòu)成一交叉點(cross-point)陣列。這里,二極管泛指任何具有如下特征的二端器件:當其外加電壓的數(shù)值小于讀電壓或外加電壓的方向與讀電壓相反時,其電阻遠大于其在讀電壓下的電阻。二極管的例子包括半導體二極管(如p-i-n硅二極管等)和金屬氧化物二極管(如氧化鈦二極管、氧化鎳二極管等)等。
存儲層16A、16B構(gòu)成至少一3D-OTP陣列16,而襯底電路層0K則含有3D-OTP陣列16的周邊電路。其中,一部分周邊電路位于3D-OTP陣列下方,它們被稱為陣列下周邊電路;另一部分周邊電路位于3D-OTP陣列外邊,它們被稱為陣列外周邊電路18。由于陣列外周邊電路18比3D-OTP陣列16含有更少的后端(back-end-of-line,簡稱為BEOL)薄膜層,陣列外周邊電路18上方的空間17不含有存儲元,該空間實際上被浪費了。在本說明書中,一個后端薄膜層是指在襯底之上結(jié)構(gòu)中的一個導線層,如存儲層16A、16B中的一個地址線層、或互連線0i中的一個互連線層。在圖1A中,3D-OTP陣列16含有6個后端薄膜層,包括2個互連線層0M1、0M2、第一存儲層16A中的2個地址線層1a、2a、以及第二存儲層16B中的地址線層3a、4a;而陣列外周邊電路18只含有2個后端薄膜層,包括互連線層0M1、0M2。
美國專利7,388,476(發(fā)明人:Crowley等;授權日:2008年6月3日)披露了一種集成3D-OTP芯片,其三維陣列及其周邊電路都集成在同一芯片內(nèi)。這種集成方式被稱為全集成。如圖1B所示,該集成3D-OTP芯片20含有三維陣列區(qū)域22和周邊電路區(qū)域28。三維陣列區(qū)域22含有多個3D-OTP陣列(如22aa、22ay)及其解碼器(如24、24G)。這些解碼器24包括本地解碼器24和整體解碼器24G。其中,本地解碼器24對單個3D-OTP陣列的地址/數(shù)據(jù)進行解碼,整體解碼器24G將整體地址/數(shù)據(jù)25解碼至單個3D-OTP陣列中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





