[發(fā)明專利]觸控面板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610083667.1
• 申請日: 2016-02-06
• 公開（公告）號: CN107045399B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李鼎祥;紀(jì)賀勛;許毅中;徐國書;張元
• 申請（專利權(quán)）人: 宸鴻科技（廈門）有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;C23C14/14;C23C14/34;B32B15/04;B32B15/20;B32B33/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙

1.一種觸控面板，其特征在于，包括：

一基板，

一感應(yīng)層，設(shè)置于所述基板上，所述感應(yīng)層由復(fù)數(shù)條復(fù)合金屬細(xì)線所構(gòu)成，所述復(fù)合金屬細(xì)線彼此交錯形成網(wǎng)格狀，且每一所述復(fù)合金屬細(xì)線包括一金屬層與一第一鎳銅鈦層，所述金屬層設(shè)置于所述基板與所述第一鎳銅鈦層之間；

所述第一鎳銅鈦層中含有35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦；

所述第一鎳銅鈦層的反射率小于等于65％。

2.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于：所述第一鎳銅鈦層的厚度介于10～30nm。

3.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于：所述金屬層為銅、鋁、金或銀。

4.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于：所述金屬層的厚度介于100～400nm。

5.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于：所述金屬細(xì)線的寬度小于5微米。

6.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于：所述該金屬細(xì)線的寬度介于1～3微米。

7.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于：所述觸控面板還包括一保護(hù)蓋板，設(shè)置于所述第一鎳銅鈦層遠(yuǎn)離所述金屬層之一側(cè)。

8.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于：所述復(fù)合金屬細(xì)線還包括一第二鎳銅鈦層，設(shè)置于所述金屬層與所述基板之間。

9.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于：所述第二鎳銅鈦層中含有35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

10.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于：所述第二鎳銅鈦層的厚度介于10～30nm。

11.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于：所述第二鎳銅鈦層的反射率小于等于60％。

12.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于：所述觸控面板還包括一保護(hù)蓋板，設(shè)置于所述基板遠(yuǎn)離所述第二鎳銅鈦層之一側(cè)。

13.如權(quán)利要求8所述的觸控面板，其特征在于：所述基板為所述觸控面板的保護(hù)蓋板。

14.一觸控面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，提供一承載板及一真空裝置；

S2，提供一金屬靶材，于所述真空裝置中，濺鍍一金屬層于所述承載板的一側(cè)；

S3，提供第一鎳銅鈦合金靶材，于所述真空裝置中，濺鍍一第一鎳銅鈦層于所述金屬層遠(yuǎn)離所述承載板的一側(cè)；

S4，圖案化所述金屬層與所述第一鎳銅鈦層，以形成網(wǎng)格狀且具有感應(yīng)電極的感應(yīng)層；

所述鎳銅鈦合金靶材中含有35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦；

所述第一鎳銅鈦層的反射率小于等于65％。

15.如權(quán)利要求14所述的觸控面板的制作方法，其特征在于：所述金屬靶材為銅、鋁、金或銀。

16.如權(quán)利要求14所述的觸控面板的制作方法，其特征在于，在步驟S2之前，還包括一步驟S10：提供第二鎳銅鈦合金靶材，于所述真空裝置中，濺鍍一第二鎳銅鈦層于所述承載板的一側(cè)。

17.如權(quán)利要求16所述的觸控面板的制作方法，其特征在于：于步驟S2中，所述金屬層是濺鍍于所述第二鎳銅鈦層遠(yuǎn)離所述承載板的一側(cè)。