[發(fā)明專利]摻雜方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610082816.2
• 申請日: 2016-02-05
• 公開（公告）號: CN107046079A
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金光耀;何川;王懿喆;洪俊華;陳炯
• 申請（專利權(quán)）人: 上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所31283
• 代理人: 薛琦,王聰

1.一種摻雜方法，其特征在于，其包括以下步驟：

S1：對硅襯底雙面制絨，該硅襯底包括第一表面以及與該第一表面相對的第二表面；

S2：對該第一表面進(jìn)行第一導(dǎo)電類型摻雜元素的注入；

S3：在該第二表面上形成含有第二導(dǎo)電類型摻雜元素的摻雜劑源；

S4：熱處理步驟S3得到的結(jié)構(gòu)以推進(jìn)注入的第一導(dǎo)電類型摻雜元素由此在第一表面?zhèn)鹊墓枰r底中形成第一導(dǎo)電類型摻雜層，以及使得摻雜劑源中的第二導(dǎo)電類型摻雜元素擴(kuò)散至第二表面?zhèn)鹊墓枰r底中形成第二導(dǎo)電類型摻雜層。

2.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S3中通過旋涂或噴涂形成該摻雜劑源。

3.如權(quán)利要求2所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S3中旋涂轉(zhuǎn)速為500rpm-5000rpm。

4.如權(quán)利要求2所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S4之后通過等離子體刻蝕該硅襯底的側(cè)壁。

5.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S3中通過薄膜沉積或絲網(wǎng)印刷形成該摻雜劑源。

6.如權(quán)利要求5所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S3中通過LPCVD或PECVD形成該摻雜劑源。

7.如權(quán)利要求1-6中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，該硅襯底為N型摻雜的硅襯底，該摻雜劑源為硼硅玻璃、或含硼的多聚物或硼酸。

8.如權(quán)利要求1-6中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，該摻雜劑源的厚度為100nm-1000nm。

9.如權(quán)利要求1-6中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S4中先在100-300℃下熱處理，接著在850℃-1050℃下熱推進(jìn)，和/或，

步驟S4中熱處理在惰性氣體中進(jìn)行，或在氮?dú)庵羞M(jìn)行，或在惰性氣體 和氧氣中進(jìn)行，或在氮?dú)夂脱鯕庵羞M(jìn)行。

10.如權(quán)利要求1-6中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S1之后、步驟S2之前還包括以下步驟：拋光該第二表面。