[發(fā)明專利]熒光劑裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610081916.3
• 申請(qǐng)日: 2016-02-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106909020B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張克蘇;周彥伊;陳琪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): G03B21/20
• 分類號(hào): G03B21/20
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;鄭泰強(qiáng)

1.一種熒光劑裝置，適用于一光源系統(tǒng)，該光源系統(tǒng)發(fā)出一第一波段光，該熒光劑裝置包括：

一基板；以及

一第一熒光層，包括：

一第一熒光劑，形成于該基板，以轉(zhuǎn)換該第一波段光為一第二波段光，其中該第二波段光包括一第一色光及一第二色光；以及

一第二熒光劑，分布于該第一熒光劑之間，以轉(zhuǎn)換該第一波段光為該第二色光，以增加該第二色光的出光強(qiáng)度，

該熒光劑裝置還包括：

一第二熒光層，其中該基板為一反射式基板，該第二熒光層是設(shè)置于該第一熒光層，且該第二熒光層包括該第一熒光劑，以轉(zhuǎn)換該第一波段光為該第二波段光以及降低該第一波段光的能量。

2.如權(quán)利要求1所述的熒光劑裝置，其中自該第二熒光層輸入至該第一熒光層的該第一波段光的殘余能量少于40瓦特。

3.如權(quán)利要求1所述的熒光劑裝置，其中每一該第一熒光層及該第二熒光層的厚度大于或等于50微米，并小于或等于200微米。

4.如權(quán)利要求1所述的熒光劑裝置，其中該第二熒光劑的重量百分比相較于該第一熒光劑小于85％。

5.如權(quán)利要求1所述的熒光劑裝置，還包括一反射層，其中該反射層是設(shè)置于該基板及該第一熒光層之間，以反射該第二波段光。

6.如權(quán)利要求1所述的熒光劑裝置，還包括一第二熒光層，其中該基板為一穿透式基板，該第二熒光層是設(shè)置于該第一熒光層及該穿透式基板之間，且該第二熒光層包括該第一熒光劑，以轉(zhuǎn)換該第一波段光為該第二波段光以及降低該第一波段光的能量。

7.如權(quán)利要求6所述的熒光劑裝置，其中輸入至該第一熒光層的該第一波段光的殘余能量少于40瓦特。

8.如權(quán)利要求6所述的熒光劑裝置，其中每一該第一熒光層及該第二熒光層的厚度大于或等于50微米，并小于或等于200微米。

9.如權(quán)利要求6所述的熒光劑裝置，該第二熒光劑的重量百分比相較于該第一熒光劑小于85％。

10.如權(quán)利要求6所述的熒光劑裝置，還包括一反射層，其中該反射層是設(shè)置于該基板及該第二熒光層之間，以反射該第二波段光。

11.一種熒光劑裝置，適用于一光源系統(tǒng)，該光源系統(tǒng)沿一光路徑發(fā)出一第一波段光，該熒光劑裝置包括：

一基板，設(shè)置于該光路徑；以及

一第一熒光層，形成于該基板的一側(cè)；以及

一第二熒光層，于該光路徑上形成于該第一熒光層之后；

其中該第一熒光層包括一第一熒光劑及x重量百分濃度的第二熒光劑，且該第二熒光層包括該第一熒光劑及y重量百分濃度的該第二熒光劑，其中y大于x，該第一熒光劑是將該第一波段光轉(zhuǎn)換為一第二波段光，該第二波段光包括一第一色光及一第二色光，且該第二熒光劑是將該第一波段光轉(zhuǎn)換為該第二色光，以增加該第二色光的出光強(qiáng)度。

12.如權(quán)利要求11所述的熒光劑裝置，其中x大于0，且y小于85。

13.如權(quán)利要求11所述的熒光劑裝置，其中每一該第一熒光層及該第二熒光層的厚度大于或等于10微米，并小于或等于500微米。