[發明專利]用于降低半導體裝置中的泄漏電流的結層間電介質有效
| 申請號： | 201610081031.3 | 申請日： | 2016-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN105895668B | 公開（公告）日： | 2019-02-15 |
| 發明（設計）人： | J·P·德索扎;K·E·弗格爾;J·吉姆;D·K·薩達納;B·A·瓦卡塞爾 | 申請（專利權）人： | 國際商業機器公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 降低 半導體 裝置 中的 泄漏 電流 結層間 電介質 | ||
【權利要求書】：
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