[發(fā)明專利]陶瓷材料、層疊體、半導體制造裝置用構件及濺射靶材

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610080984.8
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN105679663B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 渡邊守道;神藤明日美;勝田祐司;佐藤洋介;磯田佳范
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/31;C04B35/581;C04B35/04
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 李曉

1.一種陶瓷材料，是以鎂、鋁、氧及氮為主成分的陶瓷材料，

主相為使用CuKα線時的XRD波峰至少出現(xiàn)在2θ＝47～50°的鎂-鋁氮氧化物相；

其中，副相為氧化鎂中固溶了氮化鋁的MgO-AlN固溶體的晶相；

其中，上述MgO-AlN固溶體的使用CuKα線時的(200)面及(220)面的XRD波峰分別出現(xiàn)在氧化鎂的立方晶波峰與氮化鋁的立方晶波峰之間的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°；

Mg/Al mol比為0.4以上1.2以下。

2.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷材料，其中，上述2θ為47～49°。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的陶瓷材料，其以尖晶石MgAl₂O₄的晶相為副相。

4.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷材料，其中，上述MgO-AlN固溶體的使用CuKα線時的(111)面的XRD波峰出現(xiàn)在氧化鎂的立方晶波峰與氮化鋁的立方晶波峰之間的2θ＝36.9～39°。

5.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷材料，其中，不含AlN晶相。

6.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷材料，其起始原料中的鎂源為MgO。

7.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷材料，其起始原料為MgO、Al₂O₃和AlN。

8.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷材料，通過將起始原料的混合粉末在成型后熱壓燒結而得到。

9.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷材料，其開口孔隙率在0.12％以下。

10.一種層疊體，具有使用了權利要求1～9任意一項所述的陶瓷材料的第1結構體和主相為氮化鋁、氧化釔及氧化鋁中至少1種的第2結構體層疊或接合的結構。

11.根據(jù)權利要求10所述的層疊體，其中，上述第1結構體與上述第2結構體介由中間層接合。

12.根據(jù)權利要求10所述的層疊體，其中，上述第1結構體與上述第2結構體之間的線熱膨脹系數(shù)差在0.3ppm/K以下，上述第1結構體與上述第2結構體直接接合。

13.一種半導體制造裝置用構件，由權利要求1～9任意一項所述的陶瓷材料構成。

14.一種濺射靶材，由權利要求1～9任意一項所述的陶瓷材料構成。

15.根據(jù)權利要求14所述的濺射靶材，用于磁隧道結元件的隧道勢壘的制作。

16.根據(jù)權利要求15所述的濺射靶材，用于硬盤的磁頭及磁阻式隨機存取存儲器中至少1個上述磁隧道結元件的制作。