[發明專利]雙極光電子光離子成像儀的離子透鏡裝置有效
| 申請號: | 201610080850.6 | 申請日: | 2016-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN105789021B | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 劉玉柱;敖曠;曹兆樓;蘇靜;陳云云;鄭改革 | 申請(專利權)人: | 南京信息工程大學 |
| 主分類號: | H01J49/06 | 分類號: | H01J49/06;H01J49/34 |
| 代理公司: | 南京鐘山專利代理有限公司 32252 | 代理人: | 戴朝榮;蔣明 |
| 地址: | 210019 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 極光 電子 離子 成像 透鏡 裝置 | ||
1.雙極光電子光離子成像儀的離子透鏡裝置,其特征在于,包括:激光作用區、第一類極板區、第二類極板區、電子端自由飛行管、離子端自由飛行管,第一類極板區、第二類極板區并排設置,激光作用區位于第一類極板區的一側和第二類極板區的一側之間;電子端自由飛行管一側與第一類極板區的另一側相接,電子端自由飛行管另一側設置有電子端MCP&PS成像探測器;離子端自由飛行管一側與第二類極板區的另一側相接,離子端自由飛行管另一側設置有離子端MCP&PS成像探測器,第一類極板區包括依次間隔并排設置的正電極P1、正電極P2、正電極P3,第二類極板區包括依次間隔并排設置負電極N1、負電極N2、負電極N3、負電極N4,正電極P1、正電極P2、正電極P3、負電極N1、負電極N2、負電極N3、負電極N4依次間隔并排設置,且均為開孔圓盤,相互間圓柱對稱。
2.根據權利要求1所述的雙極光電子光離子成像儀的離子透鏡裝置,其特征在于,激光作用區位于正電極P1和負電極N1之間。
3.根據權利要求2所述的雙極光電子光離子成像儀的離子透鏡裝置,其特征在于,電子端自由飛行管一側與正電極P3連接,離子端自由飛行管一側與負電極N4連接。
4.根據權利要求1至3任一項所述的雙極光電子光離子成像儀的離子透鏡裝置,其特征在于,正電極P1電壓為100V,正電極P2電壓為430V,正電極P3電壓為645V,負電極N1電壓為-15V,負電極N2電壓為-235V,負電極N3電壓為-755V,負電極N4電壓為-1255V。
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