[發(fā)明專(zhuān)利]一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610080081.X
• 申請(qǐng)日: 2016-02-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105677257A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉渤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 聯(lián)想（北京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F3/06
• 分類(lèi)號(hào): G06F3/06;G06F12/0811
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 蔣雅潔;任媛

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

固態(tài)硬盤(pán)(SSD，SolidStateDrives)是由固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的 硬盤(pán)，由控制單元和存儲(chǔ)單元組成。快閃記憶體(NANDflash)是一種較為常 見(jiàn)的存儲(chǔ)單元。對(duì)于NANDflash而言，其存儲(chǔ)單元分為三大類(lèi)，分別為單層單 元(SLC，Single-LevelCell)、多層單元(MLC，Multi-LevelCell)和三層單元 (TLC，Trinary-LevelCell)。其中，SLC的每個(gè)單元為1比特(bit)，讀寫(xiě)速度 快，寫(xiě)壽命長(zhǎng)(約為10萬(wàn)次)，但是價(jià)格也昂貴。MLC的每個(gè)單元為2bit，讀 寫(xiě)速度適中，寫(xiě)壽命一般(約為1萬(wàn)次)，價(jià)格也適中。TLC的每個(gè)單元為3bit， 讀寫(xiě)速度慢，寫(xiě)壽命短(約為1千次)，價(jià)格較為便宜。基于此，如何合理利用 不同類(lèi)型的存儲(chǔ)單元在保障讀寫(xiě)性能的同時(shí)，降低制造成本，是有待解決的問(wèn) 題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及電子設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述電子設(shè)備具有 存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)至少包括：第一類(lèi)存儲(chǔ)區(qū)域、第二類(lèi)存儲(chǔ)區(qū)域；所述 方法包括：

獲得目標(biāo)數(shù)據(jù)，對(duì)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的類(lèi)型進(jìn)行判斷；

針對(duì)第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)，為所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)分配所述第一存儲(chǔ) 區(qū)域；針對(duì)第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)，為所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)分配所述第二存 儲(chǔ)區(qū)域；

在所述第一存儲(chǔ)區(qū)域上對(duì)所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀/寫(xiě)操作；在所述 第二存儲(chǔ)區(qū)域上對(duì)所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀/寫(xiě)操作；

其中，所述第一類(lèi)存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)性能指數(shù)高于所述第二類(lèi)存儲(chǔ)區(qū)域的存 儲(chǔ)性能指數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述獲得目標(biāo)數(shù)據(jù)，對(duì)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的類(lèi)型進(jìn)行判斷， 包括：

檢測(cè)到輸入的目標(biāo)數(shù)據(jù)時(shí)，對(duì)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的屬性信息進(jìn)行解析；

根據(jù)解析結(jié)果，判斷所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的類(lèi)型是所述第一類(lèi)型或是所述第二類(lèi) 型。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述針對(duì)第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)，為所述第一類(lèi)型的目標(biāo) 數(shù)據(jù)分配所述第一存儲(chǔ)區(qū)域；針對(duì)第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)，為所述第二類(lèi)型的目 標(biāo)數(shù)據(jù)分配所述第二存儲(chǔ)區(qū)域，包括：

針對(duì)第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)，在地址映射表中為所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)設(shè) 置對(duì)應(yīng)的第一邏輯地址；

針對(duì)第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)，在所述地址映射表中為所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù) 據(jù)設(shè)置對(duì)應(yīng)的第二邏輯地址；

所述第一邏輯地址表征所述第一存儲(chǔ)區(qū)域，所述第二邏輯地址表征所述第 二存儲(chǔ)區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述在所述第一存儲(chǔ)區(qū)域上對(duì)所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù) 進(jìn)行寫(xiě)操作；在所述第二存儲(chǔ)區(qū)域上對(duì)所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行寫(xiě)操作， 包括：

將所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)寫(xiě)入所述第一邏輯地址表征的所述第一存儲(chǔ)區(qū) 域；并將所述第一存儲(chǔ)區(qū)域的第一物理地址存儲(chǔ)至所述地址映射表中，以在所 述地址映射表中建立所述第一邏輯地址和所述第一物理地址的映射關(guān)系；

將所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)寫(xiě)入所述第二邏輯地址類(lèi)型表征的所述第二存 儲(chǔ)區(qū)域；并將所述第二存儲(chǔ)區(qū)域的第二物理地址存儲(chǔ)至所述地址映射表中，以 在所述地址映射表中建立所述第二邏輯地址和所述第二物理地址的映射關(guān)系。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述在所述第一存儲(chǔ)區(qū)域上對(duì)所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù) 進(jìn)行讀操作；在所述第二存儲(chǔ)區(qū)域上對(duì)所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀操作， 包括：

根據(jù)所述地址映射表，查找與所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)的第一邏輯地址對(duì) 應(yīng)的第一物理地址；從所述第一物理地址中讀取所述第一類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述地址映射表，查找與所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)的第二邏輯地址對(duì) 應(yīng)的第二物理地址；從所述第二物理地址中讀取所述第二類(lèi)型的目標(biāo)數(shù)據(jù)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備，具有存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)至少包括： 第一類(lèi)存儲(chǔ)區(qū)域、第二類(lèi)存儲(chǔ)區(qū)域；所述電子設(shè)備還包括：

判斷單元，用于獲得目標(biāo)數(shù)據(jù)，對(duì)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的類(lèi)型進(jìn)行判斷；