[發(fā)明專利]橋接電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610079943.7
• 申請日: 2013-07-02
• 公開（公告）號: CN105743477B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設計）人: 弗朗茨·赫爾萊爾;安德烈亞斯·邁塞爾;斯特芬·蒂倫
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K19/0185;H01L23/48;H01L29/423;H01L27/06;H01L27/082;H01L27/088
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁麗超;王紅艷

1.一種橋接電路，包括：

第一集成半導體裝置，包括高側(cè)開關；

第二集成半導體裝置，包括與所述高側(cè)開關電連接的低側(cè)開關；

第一電平轉(zhuǎn)換器，與所述高側(cè)開關電連接，并且被集成在所述第一集成半導體裝置和所述第二集成半導體裝置中的一個中；以及

第二電平轉(zhuǎn)換器，與所述低側(cè)開關電連接，并且被集成在所述第一集成半導體裝置和所述第二集成半導體裝置中的一個中，

其中，所述橋接電路進一步包括與所述高側(cè)開關的控制端子電連接的第一驅(qū)動器電路和與所述低側(cè)開關的控制端子電連接的第二驅(qū)動器電路，

其中，所述第一驅(qū)動器電路經(jīng)由第一電阻器與所述第二電平轉(zhuǎn)換器連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述第一電平轉(zhuǎn)換器包括pnp晶體管和p溝道MOSFET中的一個。

3.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述第二電平轉(zhuǎn)換器包括npn晶體管和n溝道MOSFET中的一個。

4.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述高側(cè)開關是包括與所述第一電平轉(zhuǎn)換器電連接的柵電極的功率MOSFET。

5.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述低側(cè)開關是包括與所述第二電平轉(zhuǎn)換器電連接的柵電極的MOSFET。

6.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述第一電平轉(zhuǎn)換器和所述第二電平轉(zhuǎn)換器均被集成在所述第一集成半導體裝置和所述第二集成半導體裝置中的同一個中。

7.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述第一集成半導體裝置包括第一半導體主體，所述第一半導體主體包括定義垂直方向的第一表面、相對表面以及在所述第一表面和所述相對表面之間延伸的第一導電通孔，并且其中，所述第一集成半導體裝置還包括設置在所述相對表面上的共同金屬化，所述共同金屬化至少形成所述高側(cè)開關的一個負載端子并且與所述第一導電通孔低電阻地接觸。

8.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述第二集成半導體裝置包括第二半導體主體，所述第二半導體主體包括定義垂直方向的第一表面、相對表面與在所述第一表面和所述相對表面之間延伸的第一導電通孔，并且其中，所述第二集成半導體裝置還包括設置在所述相對表面上的共同金屬化，所述共同金屬化形成所述低側(cè)開關和所述第二電平轉(zhuǎn)換器的負載端子并且與所述第一導電通孔低電阻地接觸。

9.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述第一集成半導體裝置和所述第二集成半導體裝置中的至少一個包括半導體主體，所述半導體主體包括定義垂直方向的第一表面、相對表面、設置在所述第一表面上的控制端子、以及導電通孔，所述導電通孔與所述控制端子低電阻地接觸并且在所述第一表面和所述相對表面之間延伸。

10.根據(jù)權利要求1所述的橋接電路，其中，所述橋接電路是半橋電路。