[發(fā)明專(zhuān)利]一種可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610079833.0
• 申請(qǐng)日: 2016-02-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105565679B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余華駿;黃穎;梁瑞記;艾發(fā)智
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東莞南玻工程玻璃有限公司;中國(guó)南玻集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C03C17/36
• 分類(lèi)號(hào): C03C17/36
• 代理公司: 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 張艷美;郝傳鑫

1.一種可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)為：玻璃基片/第一復(fù)合介質(zhì)層/第一銀層/第一保護(hù)層/第二復(fù)合介質(zhì)層/第二銀層/第二保護(hù)層/第三復(fù)合介質(zhì)層/第三銀層/第三保護(hù)層/第四復(fù)合介質(zhì)層/氧化鋯膜，所述第一復(fù)合介質(zhì)層包括氮化硅、氧化鋅和AZO，所述第二復(fù)合介質(zhì)層包括氮化硅、氧化鋅錫、氧化鋅和AZO。

2.如權(quán)利要求1所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一復(fù)合介質(zhì)層的厚度為20～50nm、第一銀層的厚度為5～15nm、第一保護(hù)層的厚度為1～1-10nm、第二復(fù)合介質(zhì)層的厚度為55～110nm、第二銀層的厚度為5～15nm、第二保護(hù)層的厚度為1～10nm、第三復(fù)合介質(zhì)層的厚度為55～110nm、第三銀層的厚度為5～15nm、第三保護(hù)層的厚度為1～10nm、第四復(fù)合介質(zhì)層的厚度為35～70nm、氧化鋯膜的厚度為3～10nm。

3.如權(quán)利要求2所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一復(fù)合介質(zhì)層的所述氮化硅的厚度為10～25nm、所述氧化鋅的厚度為5～15nm、所述AZO的厚度為5～10nm。

4.如權(quán)利要求2所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一保護(hù)層、第二保護(hù)層和第三保護(hù)層為鎳鉻層。

5.如權(quán)利要求2所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第二復(fù)合介質(zhì)層的所述氮化硅的厚度為20～40nm、所述氧化鋅錫的厚度為20～40nm、所述氧化鋅的厚度為10～20nm、所述AZO的厚度為5～10nm。

6.如權(quán)利要求2所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第三復(fù)合介質(zhì)層包括氮化硅、氧化鋅錫、氧化鋅、AZO，所述氮化硅的厚度為20～40nm、所述氧化鋅錫的厚度為20～40nm、所述氧化鋅的厚度為10～20nm、所述AZO的厚度為5～10nm。

7.如權(quán)利要求2所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，第四復(fù)合介質(zhì)層包括AZO、氧化鋅和氮化硅，所述AZO的厚度為5～10nm、所述氧化鋅的厚度為10～20nm、所述氮化硅的厚度為20～40nm。

8.制備如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，具體為：玻璃基片清洗—磁控濺射鍍膜—切割—磨邊—鋼化；其中所述磁控濺射鍍膜過(guò)程中氣氛底部SiN的N₂量少，頂部SiN的N₂量多；中間層SiN與上下的氧化物介質(zhì)層接觸的界面處通入少量的O₂。

9.如權(quán)利要求8所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述鍍膜過(guò)程中頂部保護(hù)層ZrO₂高功率富O₂濺射。

10.如權(quán)利要求8所述可鋼化的三銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，對(duì)于所述鍍膜的種子層用高功率低Ar富O₂的氣氛。