[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610079378.4
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107039333B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 張城龍;姚達林;何其暘
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有分立的柵極結構，所述基底表面還形成有覆蓋柵極結構的介質層，且所述介質層頂部高于柵極結構頂部；

在所述介質層表面形成具有開口的第一掩膜層，所述開口暴露出位于相鄰柵極結構之間的介質層表面；

在所述開口暴露出的介質層上形成第二掩膜層，所述第二掩膜層橫跨相鄰柵極結構之間的介質層以及所述開口，且所述第二掩膜層的寬度大于相鄰柵極結構之間的寬度；

以所述第二掩膜層為掩膜，刻蝕位于所述第二掩膜層兩側、且還位于所述開口下方的介質層，直至暴露出基底表面，在所述介質層內形成分立的接觸孔；

去除所述第一掩膜層和第二掩膜層；

形成填充滿所述接觸孔的導電插塞。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料與第二掩膜層的材料相同。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第二掩膜層之前，還包括步驟，在所述第一掩膜層表面以及所述開口暴露出的介質層表面形成刻蝕停止層，所述刻蝕停止層的材料與第一掩膜層的材料不同，所述刻蝕停止層的材料與第二掩膜層的材料不同；對所述刻蝕停止層頂部表面進行平坦化處理，其中，所述第二掩膜層位于所述刻蝕停止層上方。

4.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

5.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的厚度為50埃至400埃。

6.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜層的工藝步驟包括：在所述刻蝕停止層表面形成第二初始掩膜；在所述第二初始掩膜表面形成第二圖形層；以所述第二圖形層為掩膜，刻蝕所述第二初始掩膜直至暴露出刻蝕停止層表面，形成所述第二掩膜層；去除所述第二圖形層。

7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二圖形層為第二圖形化光刻膠層。

8.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二圖形層包括第二底部抗反射層以及位于第二底部抗反射層表面的第二圖形化光刻膠層。

9.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二初始掩膜層的材料包括光刻膠。

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料為氮化鈦、氮化鋁、氮化銅或氮化硼；所述第二掩膜層的材料為氮化鈦、氮化鋁、氮化銅或氮化硼。

11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜層的工藝步驟包括：在所述介質層表面形成第一初始掩膜；在所述第一初始掩膜表面形成第一圖形層；以所述第一圖形層為掩膜，刻蝕所述第一初始掩膜，形成具有開口的所述第一掩膜層；去除所述第一圖形層。

12.如權利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一圖形層包括第一底部抗反射層以及位于第一底部抗反射層表面的第一圖形化光刻膠層。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述介質層包括位于基底表面的第一介質層以及位于第一介質層表面的第二介質層，其中，所述第一介質層頂部與柵極結構頂部齊平。

14.如權利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵介質層以及位于柵介質層表面的柵電極層。

15.如權利要求14所述的形成方法，其特征在于，在平行于柵極結構排列方向上，所述開口的寬度小于或等于相鄰柵極結構之間的寬度。