[發(fā)明專利]一種非接觸無損傷的測量外延SOI外延層電阻率的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610079153.9 | 申請日： | 2016-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN107026097B | 公開（公告）日： | 2020-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 付超凡;柳清超;高文琳 | 申請（專利權(quán)）人： | 沈陽硅基科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人： | 許宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 遼寧省沈陽*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 接觸 損傷 測量 外延 soi 電阻率 方法 | ||
1.一種非接觸無損傷的測量外延SOI外延層電阻率的方法，其特征在于：所述外延層為P型或N型，測試過程包括如下步驟：
(1)將外延SOI產(chǎn)品放入反應(yīng)室；外延SOI的外延層厚度應(yīng)在1-100μm；
(2)反應(yīng)室中通入臭氧或者同時通入臭氧和水蒸氣，通入時間為3-10秒，以使反應(yīng)室內(nèi)成為臭氧或者臭氧和水蒸氣的環(huán)境；當(dāng)所述外延層為P型時，反應(yīng)室內(nèi)通入的氣體為臭氧，氣體的流速為1-5升/分鐘；當(dāng)所述外延層為N型時，反應(yīng)室內(nèi)通入的氣體為臭氧和水蒸氣，臭氧的流速為1-5升/分鐘，水蒸氣的流速為1-5升/分鐘；
(3)反應(yīng)室中通入氣體的同時加熱至200-400℃；
(4)在200-400℃條件下，氣體通入時間保持100-300秒，用于在外延SOI表面產(chǎn)生一層自然氧化層；
(5)反應(yīng)室加熱至400-600℃，在400-600℃條件下，氣體通入時間保持100-500秒，用于使步驟(4)產(chǎn)生的氧化層更加致密；
(6)反應(yīng)室中通入氮?dú)猓狗磻?yīng)室降溫至室溫；
(7)取出外延SOI放入測試臺上，同時施加主電壓和偏移電壓；主電壓范圍為1-3V，偏移電壓小于4V；
(8)通過A-CV法測量得到外延SOI外延層電阻率值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸無損傷的測量外延SOI外延層電阻率的方法，其特征在于：該方法測量位置的電阻率范圍為1-100ohm.cm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
