[發明專利]一種具有交流漏電調節電路的改進型檢測設備

在審

• 申請號: 201610079064.4
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN105652194A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發明（設計）人: 胡小青
• 申請（專利權）人: 胡小青
• 主分類號: G01R31/327
• 分類號: G01R31/327
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有交流漏電調節電路的改進型檢測設備，包括交流電源電路、直流供電電路、相位產生電路、交流漏電調節電路、相位顯示電路、指示燈電路和時間檢測電路；其特征在于：交流電源電路具有用于構成負載回路的第一火線端和用于構成模擬漏電回路的第二火線端，第一火線端和第二火線端用于與被測設備的火線輸入端相連，所述負載回路的零線端用于與被測設備的零線端相連；所述被測設備是A型漏電斷路器；相位產生電路用于與被測設備的火線輸出端L2相連；相位產生電路包括控制按鈕電路，控制按鈕電路用于控制相位產生電路在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0o的半波整流電流、電流滯后電壓90o的半波整流電流、電流滯后電壓135o的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0o的半波整流電流；交流漏電調節電路用于控制所述模擬漏電回路的電流大小；時間檢測電路用于測量從所述模擬漏電回路導通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間，即動作時間；所述相位產生電路包括：電流滯后電壓0o的第一半波整流電路、電流滯后電壓90o的第二半波整流電路、電流滯后電壓135o的第三半波整流電路、6mA直流生成電路以及可控硅電流控制電路，可控硅電流控制電路用于根據所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號在所述模擬漏電回路中分別生成電流滯后電壓0o的半波整流電流、電流滯后電壓90o的半波整流電流、電流滯后電壓135o的半波整流電流和含有6mA直流的電流滯后電壓0o的半波整流電流；所述電流滯后電壓135o的第三半波整流電路包括：由變壓器T2、二極管D5、電阻R3、R4、R5、R6、R7和運算放大器IC1A構成的正弦波整形成電路，與運算放大器IC1A的輸出端相連的由電阻R8、電容C5構成的充電電路，由二極管D6、D7構成的與門；用來設定相對于電流滯后電壓135o的整定電壓的電阻R9和R10，用來調節運算放大器IC1B的反向端的相對于電流滯后電壓135o的比較電壓的電阻R11和電位器WR1，運算放大器IC1B的輸出端用于輸出電流滯后電壓135o的控制信號；電阻R12是三極管BG3基極的限流電阻，三極管BG3與電阻R13構成射極跟隨器，電阻R13上的電流滯后電壓135o的控制信號通過按鈕開關SB1、電阻R58送給三極管BG18，三極管BG18驅動光耦芯片IC4，電阻R59是限流電阻，保證光耦芯片IC4有效工作；光耦芯片IC4用以隔離交流220V與相位產生電路直流部分，控制雙向可控硅BG19的導通和關斷，電阻R60、R61用于控制雙向可控硅BG19的G極輸入電流，使輸入信號足夠觸發雙向可控硅BG19導通；雙向可控硅BG19的A、K二極串聯在負載與交流電源之間，流過負載的電流就是滯后于電壓135o的半波整流電流；控制雙向可控硅BG19即可控制線路中通過規定的剩余脈動電流，調節電位器WR3、WR4、WR5即可控制漏電流大小；當按鈕開關SB10閉合時，按鈕開關SB10的兩個中間觸點用于相位產生電路輸出波形的檢測；所述可控硅電流控制電路包括：根據所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號而導通的三極管BG18、由三極管BG18驅動的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通斷的雙向可控硅BG19，雙向可控硅BG19的A、K極串聯在所述模擬漏電回路中；所述時間檢測電路包括：單片機IC6、與單片機IC6的漏電檢測端相連的用于檢測所述模擬漏電回路是否導通的漏電信號檢測電路以及與單片機IC6的時間信息輸出端相連的用于顯示時間的數碼管；單片機IC6根據漏電信號檢測電路輸出的漏電信號測量從所述模擬漏電回路導通至A型漏電斷路器脫扣所需的時間并通過所述數碼管顯示該時間；所述6mA直流生成電路由電阻R67、9V干電池Bt、按鈕開關SB5、SB6組成；電阻R67的一端與9V干電池U的正極相連，電阻R67的另一端與按鈕開關SB5的中間觸點相連，按鈕開關SB5的常開觸點與按鈕開關SB6的常開觸點、常閉觸點相連，9V干電池負極接按鈕開關SB6的常開觸點，按鈕開關SB6的中間觸點與直流輸出接線柱“＋”相連，按鈕開關SB6的中間觸點SB6-21與直流輸出“－”相連；

電流滯后電壓90o的第二半波整流電路由電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20、電阻R21、電阻R22、電阻R23、電阻R24、電阻R25、電阻R26、電阻R27、電阻R57、電阻R58、電阻R59、電阻R60、電阻R61、電容C6、二極管D8、二極管D9、二極管D10、三極管BG5、三極管BG18、雙向可控硅BG19、運算放大器IC2、光耦芯片IC4和電位器WR2構成。