[發明專利]發光二極管及其制造方法

在審

• 申請號: 201610078328.4
• 申請日: 2010-01-28
• 公開（公告）號: CN105720009A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 徐宸科;陳俊昌;余學志;蘇文正;歐震
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L27/15;H01L33/00;B23K26/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 趙國榮

1.一種發光元件制造方法，包括：

提供基板，包括第一表面與第二表面，其中該第一表面與該第二表面相 對；

形成至少一發光疊層在該基板的該第一表面上；

形成一金屬層在該基板的該第二表面上；

提供第一激光在該金屬層以開出多條走道區并裸露出部分該第二表面；

以酸液、水或氣體清洗該走道區上的激光副產物；

提供第二激光自該基板裸露出的該第二表面照射入該基板內部，以在該 基板內部形成多個聚光區，

其中該多個聚光區距離該第一表面及該第二表面具有一間距，且該每個 聚光區的長度為10-100μm；以及

在該基板沿著該多個聚光區劈裂該基板以形成多個發光元件。

2.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該第一激光為Nd-YAG UV激光，且能量小于1.5W，速度大于40mm/sec。

3.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該第二激光為紅外線 激光，且能量為0.05～0.35W，速度為100～600mm/sec，焦距為距離基板 30-60μm。

4.根據權利要求3所述的發光元件制造方法，其中該紅外線激光為 Nd-YAG頻率飛秒或皮秒激光、Nd-YVO4激光、Nd-YLF激光或鈦藍寶石激 光。

5.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，其中形成該發光疊層的步 驟，至少包括：

形成第一導電型半導體層在該基板之上；

形成活性層在該第一導電型半導體層上；

形成第二導電型半導體層在該活性層上；

利用光刻技術蝕刻該第一導電型半導體層、該活性層以及該第二導電型 半導體層，以形成多個臺狀結構的發光疊層；

其中，由上視圖觀之，該多條走道區分別圍繞該多個臺狀結構的發光疊 層。

6.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該些走道區的寬度為 30-50μm。

7.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該些聚光區的形狀為 圓點狀、長方體或其他圖形，且寬度小于5μm。

8.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，還包括：

在該第一表面上形成多個凹溝，每個該凹溝對應于該些聚光區之一；以 及

在該基板沿著該些聚光區以及該些凹溝劈裂該基板以形成多個發光元 件。

9.一種發光元件，包括：

基板，包括第一表面、相對于該第一表面的第二表面以及多個側表面；

發光疊層位于該基板的該第一表面上；

金屬層位于該基板的該第二表面上，其中該金屬層具有多條走道區圍繞 該發光疊層且裸露出部分該第二表面；以及

多個聚光區位于該基板的該些側表面上，該每個聚光區長度為 10-100μm且距離該第一表面及該第二表面具有一間距。

10.根據權利要求9所述的發光元件，其中該些聚光區的形狀可為圓點 狀、長方體或其他圖形。

11.根據權利要求9所述的發光元件，其中該發光疊層包括：

第一導電型半導體層，位于該基板之上；

活性層，位于該第一導電型半導體層上；以及

第二導電型半導體層，位于該活性層上，且該發光疊層的材料包括一種 或一種以上的物質選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及 硅(Si)所構成的群組。