[發明專利]一種低角度依賴高飽和度紅色PS膠體晶體膜的制備方法

在審

• 申請號: 201610078136.3
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN105733010A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 王莉麗;王秀鋒;宮在磊;王浩;江紅濤
• 申請（專利權）人: 陜西科技大學
• 主分類號: C08J7/06
• 分類號: C08J7/06;C08J5/18;C08L25/06
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 段俊濤

1.一種低角度依賴高飽和度紅色PS膠體晶體膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)采用乳液聚合法制備平均粒徑為440±10nm的PS微球母液，以去離子水為溶劑，直接稀釋為PS微球濃度為0.1wt-0.5wt％的乳液，置于30-100mL玻璃器皿中超聲分散30-60min。

(2)用去離子水清洗基片，分別在乙醇和去離子水中超聲清洗30-90min后烘干備用，將清洗過的基片垂直固定在已超聲分散的PS乳液中，放入烘箱中9-12h緩慢烘干得到組裝好的PS膠體晶體膜，烘干溫度為40℃-65℃；

(3)將從烘箱中取出的PS膠體晶體膜放入蒸鍍儀中鍍碳膜，使PS膠體晶體膜表面的碳膜厚度為5-10nm；

(4)在已經鍍過碳膜的PS膠體晶體膜表面，采用真空離子濺射法在碳膜表面再鍍一層厚度為5-10nm的鉑金膜，即得低角度依賴高飽和度呈色明亮的單一紅色PS膠體晶體膜。

2.根據權利要求1所述低角度依賴高飽和度紅色PS膠體晶體膜的制備方法，其特征在于，所述基片為玻璃基片、金屬基片或有機基片。

3.根據權利要求1所述低角度依賴高飽和度紅色PS膠體晶體膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，通過控制鍍膜電流和碳絲的粗細實現對碳膜厚度的控制；所述步驟(4)中，通過控制鍍膜電流和時間實現對鉑金膜厚度的控制。

4.根據權利要求1所述低角度依賴高飽和度紅色PS膠體晶體膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，設置鍍膜電流為60mA；所述步驟(4)中，設置鍍膜電流為10mA，鍍膜時間為50-100s。