[發明專利]高導通高電壓太陽能光電玻璃板制作工藝有效
| 申請號: | 201610077620.4 | 申請日: | 2016-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN105720133B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 尤曉江 | 申請(專利權)人: | 武漢華尚綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01B5/14 |
| 代理公司: | 武漢華旭知識產權事務所42214 | 代理人: | 劉榮,江釗芳 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市江漢區江*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高導通高 電壓 太陽能 光電 玻璃板 制作 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種高導通高電壓太陽能光電玻璃板制作工藝,屬于電子器件制作領域。
背景技術
電子產業作為國民支柱行業,近年來的發展日新月異,特別是以輕、薄、短、小為發展趨勢的終端產品,對其基礎產業——印制線路板行業,提出了高密度、小體積、高導電性等更高要求。線路板技術在這種背景下迅速發展壯大,而各個弱電領域的行業,如電腦及周邊輔助系統、醫療器械、手機、數碼(攝)像機、通訊器材、精密儀器、航空航天等,都對印制線路板的工藝及品質提出了許多具體而明確的技術規范。
傳統的太陽能光電玻璃常常通過以下工藝制備獲得:首先在太陽能晶片上制作電極,正負極可以位于太陽能晶片的同一面,也可以位于太陽能晶片的正反面,一般傳統太陽能光電玻璃使用的帶電極的太陽能晶片,其電極位于同一面。由于太陽能晶片為晶體硅,本身非常薄且脆,需要利用碰焊工藝帶電極的太陽能晶片通過一組銅條焊接在具有承壓作用的帶有電子線路的底板上,最后利用層壓工藝將太陽能電池模塊安裝于玻璃面板上,玻璃面板主要起到隔絕和防護的作用。
由于太陽能光電玻璃需要承受的電流大、電壓強,則需要導電能力非常強,然而這種傳統工藝制作出來的太陽能光電玻璃,由于其本身帶有電子線路的底板導通率有限,導致整個太陽能光電玻璃板的導通率非常有限。同時,碰焊工藝使得電路之間互聯性非常強,僅一面覆蓋有玻璃,太陽能晶片組裝承壓在玻璃上,在大功率高電壓使用過程中,一旦太陽能光電玻璃板破碎或線路出現問題,很容易引起短路,存在很大的安全隱患,難以通過3C安規認證,并且碰焊機價格昂貴,效率低。此外,傳統的太陽能光電玻璃板是不透明的,其適用場合非常有限。
發明內容
為了解決現有技術的不足,本發明提供了一種高導通高電壓太陽能光電玻璃板制作工藝,能夠實現高導通透明玻璃基電路板的制成,再將電極位于兩面的太陽能晶片直接焊接于高導通透明玻璃基電路板上制成高導通高電壓太陽能光電玻璃板,所制成的高導通高電壓太陽能光電玻璃板能夠實現大面積玻璃電路制作并實現標準光伏組件尺寸玻璃全電路制成,能夠承受高電壓大功率使用。
本發明為解決其技術問題所采用的技術方案是:提供了一種高導通高電壓太陽能光電玻璃板制作工藝,包括以下步驟:
(1)通過以下過程制作高導通透明玻璃基電路板:
(a)將導電漿料印刷在玻璃板的空氣面;所述導電漿料由質量比為65~75:3:5~10:10~20:1~3的導電粉、低溫玻璃粉、乙基纖維素、松油醇以及順丁烯二酸二丁酯組成,其中導電粉為石墨烯粉或者金屬粉與石墨烯粉的混合物;若導電粉為金屬粉與石墨烯粉的混合物,則石墨烯粉占導電漿料的質量百分比為2‰~5%;
(b)將覆蓋有導電漿料的玻璃板在120~150℃的溫度下烘烤100~200秒;
(c)將玻璃板置于550~600℃溫度環境中300~360秒,然后置于710~730℃溫度環境中維持120~220秒,最后冷卻至常溫,則此時導電漿料形成導電線路分布于玻璃板的表面且與玻璃板熔融,導電線路成為玻璃板的一部分,得到高導通透明玻璃基電路板;
(2)取兩塊高導通透明玻璃基電路板,沿兩塊高導通透明玻璃基電路板的導電線路部分刮涂低溫錫膏;
(3)取帶電極的太陽能晶片,所述帶電極的太陽能晶片的正極和負極分別位于太陽能晶片的正面和反面;將太陽能晶片夾于兩塊高導通透明玻璃基電路板之間,使太陽能晶片的正極與一塊高導通透明玻璃及電路板上的低溫錫膏接觸,同時太陽能晶片的負極與另一塊高導通透明玻璃及電路板上的低溫錫膏接觸;
(4)使用回流焊技術對導電線路部分加熱,使低溫錫膏熔化;
(5)將兩塊高導通透明玻璃基電路板的邊緣密封。
步驟(a)所述的混合金屬顆粒均為立方體或不規則多面體。
步驟(a)所述的金屬粉為金、銀和銅中的一種或一種以上混合金屬顆粒,顆粒粒度為300目以上。
步驟(a)所述的將導電漿料印刷在玻璃板的空氣面,采用打印移印技術、凹凸版印刷技術、絲網印刷技術、熱轉印技術和點膠式刷圖技術中的一種。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





