[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610076318.7
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN105529275A
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 閆梁臣;袁廣才;徐曉光;王磊;彭俊彪;蘭林鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L21/203;C23C14/34;C23C14/35
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云;聶稻波

1.一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

采用直流濺射法在基板上沉積金屬薄膜層的步驟；

將所述金屬薄膜層中的金屬完全氧化或者部分氧化形成金屬氧化物薄 膜層的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在所述采用直流濺射法在基板上沉積 金屬薄膜層的步驟之后，將所述金屬薄膜層中的金屬完全氧化或者部分氧化 形成金屬氧化物薄膜層的步驟之前，進一步包括對所述金屬薄膜層圖形化的 步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，在將所述金屬薄膜層中的金屬完 全氧化或者部分氧化形成金屬氧化物薄膜層的步驟之后，進一步包括對所述 金屬氧化物薄膜層圖形化的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，所述采用直流濺射法在基板上沉 積金屬薄膜層的步驟包括：

采用直流濺射法在所述基板上沉積第一金屬薄膜層的步驟；和

采用直流濺射法在所述第一金屬薄膜層上沉積第二金屬薄膜層的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，將所述金屬薄膜層中的金屬完全氧化 或者部分氧化形成金屬氧化物薄膜層的步驟包括：

將所述第二金屬薄膜層完全氧化為第二金屬氧化物薄膜層，將所述第一 金屬薄膜層表面氧化形成第一金屬氧化物薄膜層，所述第一金屬薄膜層未被 氧化的部分為第三金屬薄膜層，所述第一金屬氧化物薄膜層覆蓋在所述第三 金屬薄膜層之上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，在將所述金屬薄膜層中的金屬完全氧 化或者部分氧化形成金屬氧化物薄膜層的步驟之后，還包括對所述第二金屬 氧化物薄膜層圖形化的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述基板溫度與環(huán)境溫度 相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一金屬薄膜層中的金屬 為鋁、鉭、鈦或它們?nèi)我鈨烧呋蛉叩暮辖稹?

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二金屬薄膜層中的金屬 為鋅、錫、銦或它們?nèi)我鈨烧呋蛉叩暮辖稹?

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第三金屬薄膜層為柵極層， 所述第一金屬氧化物薄膜層為柵極絕緣層，所述第二金屬氧化物薄膜層為有 源層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述基板為柔性基板。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述柔性基板材料為聚萘二 甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酰亞胺(PI)或者 金屬箔。

13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第三金屬薄膜層的厚度為 100-1000nm，所述第二金屬薄膜層的厚度為10-200nm，所述第一金屬氧化 物薄膜層的厚度為50-400nm。

14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，進一步包括在所述基板與沉積所 述金屬薄膜層的一側(cè)相對的另一側(cè)，設(shè)置水氧阻隔層或者緩沖層的步驟。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述水氧阻隔層或者緩沖層 的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化鋁。

16.一種薄膜晶體管，包括：

基板，依次設(shè)置在所述基板上的柵極層、柵極絕緣層以及有源層，

其中所述柵極層的金屬元素與所述柵極絕緣層的金屬元素相同。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極層與所述柵 極絕緣層一體成型。

18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層 是由所述柵極層的表層氧化而成，所述柵極絕緣層包覆所述柵極層的上表面 和側(cè)面。

19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層 的圖形與所述有源層的圖形相同。

20.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層 的圖形大于所述有源層的圖形。