[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201610075751.9
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN105870281B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 林義杰
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件，包含︰

基板；以及

位于該基板上的活性結構，其包含阱層以及阻障層，其中該阱層包含多個不同的VA族元素，該阱層以及該阻障層各具有一能階；

其中該基板具有一第一本質晶格常數，該阱層具有一第二本質晶格常數，該阻障層具有一第三本質晶格常數，該第三本質晶格常數介于該第二本質晶格常數以及該第一本質晶格常數之間，其中該阻障層的該能階與該阱層的該能階的差異不小于0.4電子伏特(eV)，該阱層包含In_xGa_1-xAs_1-yP_y，x≠0且0.001≤y≤0.1。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中該阱層和該阻障層各具有一殘留壓縮應力，且該阱層的該殘留壓縮應力大于該阻障層的該殘留壓縮應力。

3.如權利要求2所述的發光元件，其中該阱層的該殘留壓縮應力與該阻障層的該殘留壓縮應力之間的差異不大于2500ppm。

4.如權利要求1所述的發光元件，其中該活性結構發出一主波長介于750納米至1050納米之間的輻射。

5.如權利要求4所述的發光元件，其中該阻障層包含Al_zGa_1-zAs，且z≠0。

6.如權利要求1所述的發光元件，其中該第二本質晶格常數大于第三本質晶格常數不超過

7.如權利要求1所述的發光元件，其還包含具有第一導電型態的第一半導體層以及具有第二導電型態的第二半導體層，該活性結構位于該第一半導體層以及該第二半導體層之間，且該發光元件還包含一介于該第一半導體層以及該活性結構之間的中間層，其中該第一半導體層具有第一能階，該第二半導體層具有第二能階，該阱層具有第三能階，該中間層具有第四能階，其中該第一能階以及該第二能階皆大于該第四能階，且該第四能階大于該第三能階，該中間層以及該阻障層各具有一厚度，該中間層的厚度大于該阻障層的厚度。

8.如權利要求7所述的發光元件，其還包含位于該第一半導體層上的第一窗戶層，其中該中間層包含Al_z1Ga_1-z1As，該第一窗戶層包含Al_z2Ga_1-z2As，且z₁z₂。

9.如權利要求7所述的發光元件，其中該中間層包含Al_z1Ga_1-z1As，其中z₁不小于0.4。

10.如權利要求1所述的發光元件，其中該阱層和/或該阻障層是未摻雜的。

11.一種發光元件，包含︰

活性結構，其包含阱層以及阻障層，該阱層包含In_xGa_1-xAs_1-yP_y，該阻障層包含Al_zGa_1-zAs，其中該阱層和該阻障層各具有一殘留壓縮應力，該活性結構發出一主波長介于750納米(nm)至1050納米之間的輻射，其中x≠0，0.001≤y≤0.1且z≠0。

12.如權利要求11所述的發光元件，其還包括一位于該活性結構上的第一窗戶層，且該第一窗戶層的厚度介于2000納米至7000納米之間。