[發(fā)明專利]一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610075444.0
• 申請(qǐng)日: 2016-02-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105514177B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃仲濬;蔣文甄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰州市夢(mèng)之谷科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明提供了一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導(dǎo)電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內(nèi)部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電填充塊，所述導(dǎo)電填充塊外側(cè)包裹有所述P型阱區(qū)，P型阱區(qū)包裹的導(dǎo)電填充塊能在器件反向耐壓時(shí)形成有效耗盡，從而減小漏電流，所述肖特基二極管的陰極和陽(yáng)極管腳分別設(shè)于空心棒內(nèi)，使用時(shí)，將空心棒口的橡膠塞去除，陰極和陽(yáng)極管腳會(huì)從空心棒彈出，這種結(jié)構(gòu)能在運(yùn)輸過(guò)程中有效的保護(hù)管腳，防止管腳折斷或折彎。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及二極管，特別涉及一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管。

背景技術(shù)

肖特基二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。傳統(tǒng)的肖特基二極管，隨著器件反偏電壓的增加，在高電場(chǎng)條件下肖特基勢(shì)壘降低，從而導(dǎo)致二極管漏電流的增大，而且傳統(tǒng)的肖特基二極管的管腳較長(zhǎng)，在運(yùn)輸過(guò)程中容易折斷或折彎。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，解決了傳統(tǒng)的肖特基二極管，隨著器件反偏電壓的增加，在高電場(chǎng)條件下肖特基勢(shì)壘降低，從而導(dǎo)致二極管漏電流的增大，而且傳統(tǒng)的肖特基二極管的管腳較長(zhǎng)，在運(yùn)輸過(guò)程中容易折斷或折彎。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下的技術(shù)方案：一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，其中，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導(dǎo)電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內(nèi)部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電填充塊，所述導(dǎo)電填充塊外側(cè)包裹有所述P型阱區(qū)，所述二氧化硅層上設(shè)有空心陽(yáng)極棒，所述空心陽(yáng)極棒至少部分與所述硅片層連接，所述空心陽(yáng)極棒內(nèi)設(shè)有第一管腳，所述第一管腳的一端通過(guò)第一彈簧連接所述空心陽(yáng)極棒的內(nèi)壁，所述陰極金屬層上連接有陰極空心棒，所述空心陰極棒內(nèi)設(shè)有第二管腳，所述第二管腳的一端通過(guò)第二彈簧連接所述空心陰極棒的內(nèi)壁。

優(yōu)選的，所述空心陽(yáng)極棒和所述陰極空心棒都為一端設(shè)有開(kāi)口且另一端封閉的結(jié)構(gòu)，且所述開(kāi)口塞有橡膠塞。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電填充塊的數(shù)量為2-4個(gè)。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電填充塊在所述硅片層內(nèi)等距分布。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電填充塊為多晶硅。

有益效果：本發(fā)明提供了一種鋁面低壓平面式MOS肖特基二極管，所述鋁面肖特基二極管包括硅片層、陰極金屬層、二氧化硅層、導(dǎo)電填充塊和P型阱區(qū)，所述硅片層上方連接所述二氧化硅層，所述硅片層下方連接所述陰極金屬層，所述硅片層內(nèi)部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電填充塊，所述導(dǎo)電填充塊外側(cè)包裹有所述P型阱區(qū)，P型阱區(qū)包裹的導(dǎo)電填充塊能在器件反向耐壓時(shí)形成有效耗盡，從而減小漏電流，所述肖特基二極管的陰極和陽(yáng)極管腳分別設(shè)于空心棒內(nèi)，使用時(shí)，將空心棒口的橡膠塞去除，陰極和陽(yáng)極管腳會(huì)從空心棒彈出，這種結(jié)構(gòu)能在運(yùn)輸過(guò)程中有效的保護(hù)管腳，防止管腳折斷或折彎。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的工作時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，1硅片層、2二氧化硅層、3第一彈簧、4第一管腳、5空心陽(yáng)極棒、6橡膠塞、7P型阱區(qū)、8導(dǎo)電填充塊、31第二彈簧、41第二管腳、51空心陰極棒。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。