[發明專利]一種肖特基二極管在審

申請號：	201610075438.5	申請日：	2016-02-03
公開（公告）號：	CN105609570A	公開（公告）日：	2016-05-25
發明（設計）人：	黃仲濬;蔣文甄	申請（專利權）人：	泰州優賓晶圓科技有限公司
主分類號：	H01L29/872	分類號：	H01L29/872;H01L29/06
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	225500 江蘇省泰州市姜***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種肖特基二極管
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【權利要求書】：

1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括上接觸層、下接觸層和鈍化層，所述上接觸層包括半導體基層和肖特基接觸層，所述肖特基接觸層包括半導體層和金屬層，所述半導體基層、半導體層和金屬層自上而下層疊設置，所述下接觸層包括連接介質層和平面接觸體，所述連接介質與金屬層粘接，所述鈍化層包裹于上接觸層和下接觸層的兩側。

2.根據權利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于：所述金屬層包括金屬層一和構成遷移屏障的金屬層二，所述金屬層二與連接介質粘接。

3.根據權利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于：所述半導體基層具有n型摻雜，所述金屬層二由鈦制成，所述連接介質層和金屬層均由鋁制成。

4.根據權利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于：所述平面接觸體下端設置有金屬接觸層。

5.根據權利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于：所述上接觸層和下接觸層均平行設置，所述鈍化層與上接觸層和下接觸層的連接面傾斜設置。

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