[發(fā)明專利]一種雙柵極陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610074047.1
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN105572996B
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 臧鵬程;黃煒赟;祁小敬;劉庭良
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙柵極陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的雙柵極陣列基板的透過率較低的問題。該技術(shù)方案中，在各個相鄰像素電極之間的空隙位置交替設(shè)置主信號線和副信號線，主信號線作為數(shù)據(jù)線仍由驅(qū)動單元引出，并同時連接兩側(cè)像素單元以實現(xiàn)一條主信號線驅(qū)動控制兩個像素單元的目的；副信號線連接至公共電極，從而，使得副信號線的電壓為較為穩(wěn)定的電壓，完全避免了與相鄰像素電極產(chǎn)生耦合電容的可能。從而，無需按照現(xiàn)有技術(shù)中增大干電極尺寸的方式減小耦合電容，即位于副信號線上方的干電極可以不必設(shè)置的很大，進而，提升了陣列基板的透過率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙柵極陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示面板的分辨率的增加，驅(qū)動IC的性能及成本必然提升。因此，為了降低驅(qū)動IC成本，同時提升驅(qū)動IC的綁定良率，在顯示面板上一般采用雙柵極驅(qū)動的設(shè)計方案。如圖1(a)和圖1(b)所示，為目前常見的雙柵極驅(qū)動的陣列基板示意圖，為了便于描述，以FFS顯示模式為例，將像素單元分別定義為像素單元A，以及與像素單元A在水平方向上相鄰的像素單元B；如圖1(a)所示，兩個像素單元的TFT器件分別位于像素單元的上、下方，且均通過各自的源極連接至同一數(shù)據(jù)線L_S，TFT器件的柵極連接至柵線L_G，由圖中可見，豎直方向相鄰的像素單元之間設(shè)置有兩條柵線L_G，便于實現(xiàn)雙柵極驅(qū)動。結(jié)合圖1(b)所示的剖面結(jié)構(gòu)可知，該陣列基板中，相鄰的像素單元A與像素單元B均連接至兩者之間的數(shù)據(jù)線L_S，且像素單元B與另外一個相鄰的像素單元A之間沒有設(shè)置數(shù)據(jù)線。由上述圖1(a)以及圖1(b)可知，無論在相鄰兩個像素電極11之間是否設(shè)置有數(shù)據(jù)線L_S，都會產(chǎn)生不需要的耦合電容，因而，為了減小相鄰像素電極之間產(chǎn)生的耦合電容，需要在該位置處(如圖中虛線對應(yīng)區(qū)域)的公共電極12的干電極121設(shè)置的較大，最好能夠使得該位置處的公共電極的干電極121在陣列基板上的正投影能夠分別與相鄰的像素電極11有交疊，從而很好的阻擋住耦合電容對液晶旋轉(zhuǎn)的影響。

然而，雙柵極陣列基板由于在相鄰像素單元之間設(shè)置有兩條柵線，相比現(xiàn)有技術(shù)而言，增加了一條柵線，必然需要在彩膜基板側(cè)對應(yīng)的設(shè)置額外的黑矩陣，從而導(dǎo)致陣列基板形成的面板的開口率減小，換言之，陣列基板的穿透率降低。而且，為了減小耦合電容，導(dǎo)致相鄰像素單元之間的空隙處的公共電極的面積較大，這一結(jié)構(gòu)同樣會導(dǎo)致陣列基板的開口率減小，穿透率降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種雙柵極陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的雙柵極陣列基板的透過率較低的問題。

本發(fā)明實施例采用以下技術(shù)方案：

一種雙柵極陣列基板，包括：

沿第一方向排布的多條柵線；

沿第二方向交替排布的多條主信號線和副信號線；

所述相鄰兩條柵線與所述主信號線或所述副信號線絕緣交疊圍設(shè)而成多個像素單元，所述主信號線由驅(qū)動單元引出，并分別與自身相鄰的像素單元連接；

所述副信號線連接至公共電極，其中，所述公共電極包括多個干電極和多個支電極，且所述干電極在所述陣列基板上的正投影分別與相鄰的像素電極在所述雙柵極陣列基板上的正投影有交疊區(qū)域且至少覆蓋所述主信號線。

在本發(fā)明實施例中，通過在雙柵極陣列基板中設(shè)置交替排布的主信號線以及副信號線，并將副信號線連接至公共電極，從而，使得副信號線連通的電壓為較穩(wěn)定的電壓，完全避免了與相鄰像素電極產(chǎn)生耦合電容的可能。因此，本發(fā)明無需按照現(xiàn)有技術(shù)中增大干電極尺寸的方式減小耦合電容，即位于副信號線上方的干電極可以不必設(shè)置的很大，進而，提升了陣列基板的開口率。

可選地，所述副信號線的線寬不大于所述主信號線的線寬。