[發明專利]聚合物微流控芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201610073803.9
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN105548315A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 劉瑞;鄧敏;李曉波;張方興
• 申請（專利權）人: 蘇州甫一電子科技有限公司
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;G01N27/447;B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于包括：

提供包含有電極的第一聚合物基底，所述電極凸設于所述第一聚合物基體的第一表面；

采用UV-LIGA技術制備形成微流道模具，再利用所述微流道模具，通過微注塑方式或旋涂、剝離方式制備出包含有微流道的第二聚合物基體，所述微流道凹設于所述第二聚合物基體的第二表面；

將所述第一聚合物基體的第一表面與第二聚合物基體的第二表面相互封接，并使所述電極至少局部凸露于所述微流道內，實現所述聚合物微流控芯片的封裝。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述微流道模具的制備方法包括如下步驟：

（1）在金屬鎳基片上濺射厚度為800～1000?的金屬Ti層，并作氧化處理；

（2）在經過步驟（1）處理的金屬鎳基片上依次進行甩負性光刻膠、前烘、切片、曝光、中烘、顯影處理，根據掩模版設計的微流道模具形狀，實現微型溝道光刻膠結構的圖形化，獲得圖形化導電層；

（3）在所述圖形化導電層上電鍍形成深寬比為1：1～50：1的金屬鎳模具結構層；

（4）以平面加工技術對所述金屬鎳模具結構層進行平坦化加工；

（5）去除負膠、清洗，得到所述微流道模具。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于包括：

提供第一聚合物基體，并在該第一聚合物基體的第一表面依次形成基底金屬層和電極金屬層，并在所述電極金屬層上形成于所述微流控芯片結構對應的圖形化掩膜，之后利用所述圖形化掩膜，采用濕法刻蝕工藝依次對所述電極金屬層、基底金屬層進行刻蝕，形成包含有相互間隔設置的工作電極、對電極和參比電極的第一聚合物基底；

以及，將所述第一聚合物基體的第一表面與第二聚合物基體的第二表面相互封接，并使所述工作電極、對電極和參比電極至少局部凸露于所述微流控通道內，實現所述聚合物微流控芯片的封裝。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于包括：通過粘接或鍵合方式將所述第一聚合物基體與第二聚合物基體相互封接而形成所述聚合物微流控芯片。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述微流道的深寬比為1:1~50:1，且所述微流道內壁的粗糙度在500nm以下。

6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述工作電極、對電極和參比電極相互配合形成插齒式的三電極檢測結構。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述電極金屬層的厚度為20～50nm，所述基底金屬層的厚度為100～200nm。

8.根據權利要求3或7所述的制備方法，其特征在于：所述基底金屬層采用金屬Ti層。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述聚合物基體的厚度為0.5～2mm，而所述微流道的深度為5～1000μm。

10.由權利要求1-9中任一項所述方法制備的聚合物基底微流控芯片。