[發(fā)明專利]一種開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610073778.4 | 申請日: | 2016-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN105699915B | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 顏雨;高瑞宣;劉萬樂 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州美思迪賽半導體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/40 | 分類號: | G01R31/40 |
| 代理公司: | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 開關(guān)電源 自適應(yīng) 動態(tài) 檢測 電路 | ||
1.一種開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其用于產(chǎn)生一個隨負載動態(tài)變化的自適應(yīng)動態(tài)電壓VREF,其特征在于:其包括開關(guān)周期轉(zhuǎn)電流電路、低通濾波電路、VREF產(chǎn)生電路;該開關(guān)周期轉(zhuǎn)電流電路通過一個開關(guān)電源控制芯片內(nèi)部OSC計時產(chǎn)生不同的控制信號,該控制信號開通該開關(guān)周期轉(zhuǎn)電流電路內(nèi)不同的電流支路,產(chǎn)生的支路電壓經(jīng)過該低通濾波電路濾波得到緩慢變化的相應(yīng)電壓,最后經(jīng)過該VREF產(chǎn)生電路輸出該自適應(yīng)動態(tài)電壓VREF;其中,該VREF產(chǎn)生電路包括第一MOS管鏡像模組、跟隨器AMP1、電阻R8;跟隨器AMP1的同相端接收一個基準電壓給定值VREF1,反相端連接跟隨器AMP1的輸出端,且跟隨器AMP1的輸出端與電阻R8的一端連接;電阻R8的另一端連接第一MOS管鏡像模組的輸出端后作為該自適應(yīng)動態(tài)電壓VREF的輸出端,該第一MOS管鏡像模組的輸入端與該低通濾波電路的輸出端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其特征在于:第一MOS管鏡像模組包括P型場效應(yīng)管MP1、v個P型場效應(yīng)管MP2、N型場效應(yīng)管MN1、n個N型場效應(yīng)管MN2;其中,v、n均為不小于1的整數(shù),P型場效應(yīng)管MP1的柵極和漏極相連,P型場效應(yīng)管MP1的源極與柵極分別和P型場效應(yīng)管MP2的源極與柵極連接;P型場效應(yīng)管MP1的漏極和N型場效應(yīng)管MN1的漏極連接,P型場效應(yīng)管MP2的漏極和N型場效應(yīng)管MN2的漏極連接;N型場效應(yīng)管MN1的柵極與低通濾波電路的輸出端連接,其源極接地;N型場效應(yīng)管MN2的柵極接收一個偏置電壓BIASN,其源極接地。
3.如權(quán)利要求2所述的開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其特征在于:該低通濾波電路包括P型場效應(yīng)管MP3、電阻R9、電容C7,其中P型場效應(yīng)管MP3的漏極與該開關(guān)周期轉(zhuǎn)電流電路的輸出端連接,P型場效應(yīng)管MP3的柵極接收一定寬度的脈沖控制信號,P型場效應(yīng)管MP3的源極與電阻R9的一端連接,電阻R9的另一端與N型場效應(yīng)管MN1的柵極連接;電容C7一端與N型場效應(yīng)管MN1的柵極連接,另一端接地。
4.如權(quán)利要求3所述的開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其特征在于:該開關(guān)周期轉(zhuǎn)電流電路包括邏輯控制模組、第二MOS管鏡像模組、u個N型場效應(yīng)管MN5;第二MOS管鏡像模組包括M組電流支路,u、M均為不小于1的整數(shù),該邏輯控制模組輸出與電流支路的組數(shù)相對應(yīng)的控制信號CTRL1~CTRLM;每一組電流支路均包括第一P型場效應(yīng)管和第二P型場效應(yīng)管;第一P型場效應(yīng)管的柵極接收一個偏置電壓BIASP,第一P型場效應(yīng)管的漏極與第二P型場效應(yīng)管的源極連接;第二P型場效應(yīng)管的柵極接收相應(yīng)控制信號;不同組之間的第一P型場效應(yīng)管的源極連接,第二P型場效應(yīng)管的漏極連接,且所有第二P型場效應(yīng)管的漏極均與每個N型場效應(yīng)管MN5的漏極連接;每個N型場效應(yīng)管MN5的柵極與低通濾波電路的輸入端連接,每個N型場效應(yīng)管MN5的源極接地。
5.如權(quán)利要求4所述的開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其特征在于:該開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路還包括電壓轉(zhuǎn)電流電路,該電壓轉(zhuǎn)電流電路根據(jù)一個基準電壓給定值VREF2輸出該偏置電壓BIASP。
6.如權(quán)利要求5所述的開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其特征在于:該電壓轉(zhuǎn)電流電路包括跟隨器AMP2、P型場效應(yīng)管MP4、P型場效應(yīng)管MP5、N型場效應(yīng)管MN3、N型場效應(yīng)管MN4和電阻R7;其中跟隨器AMP2的輸出端與N型場效應(yīng)管MN3的柵極連接,N型場效應(yīng)管MN3的漏極與P型場效應(yīng)管MP4的漏極和柵極、P型場效應(yīng)管MP5的柵極均連接以引出該偏置電壓BIASP;N型場效應(yīng)管MN3的源極與電阻R7連接后接地;P型場效應(yīng)管MP5的漏極與N型場效應(yīng)管MN4的漏極連接;N型場效應(yīng)管MN4的柵極引出該偏置電壓BIASN,其源極接地。
7.如權(quán)利要求6所述的開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其特征在于:該開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路整體設(shè)計為模組以作為標準通用模塊使用。
8.如權(quán)利要求7所述的開關(guān)電源自適應(yīng)動態(tài)檢測電路,其特征在于:該標準通用模塊包括若干接線端,跟隨器AMP2的同相端、邏輯控制模組的輸入端、跟隨器AMP1的同相端各連接一個接線端。
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