[發明專利]薄膜晶體管及陣列基板的制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610073355.2
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN105702584B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 林子錦;趙海生;裴曉光;彭志龍;孫東江
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/10;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;張博

本發明提供了一種薄膜晶體管及陣列基板的制作方法、陣列基板、顯示裝置，屬于顯示技術領域。其中，薄膜晶體管的制作方法包括：在基板上形成過渡層；對所述過渡層進行構圖形成過渡層保留區域和過渡層未保留區域，所述過渡層未保留區域對應第一結構層的圖形，其中所述過渡層保留區域的表面具有凹凸結構；在形成有所述過渡層的圖形的基板上形成用于形成所述第一結構層的材料層；除去所述過渡層，所述材料層留在基板上的部分形成所述第一結構層的圖形。本發明的技術方案能夠避免膜層殘留不良，提高陣列基板的良品率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種薄膜晶體管及陣列基板的制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

現有陣列基板的制作工藝包括在襯底基板上依次形成柵金屬層的圖形、有源層的圖形、源漏金屬層的圖形、鈍化層的圖形和透明導電層的圖形，其中，在制作每一層的圖形時，都需要采用沉積、涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等步驟。

在形成有源層的圖形時，是在柵絕緣層(可以采用SiNx)上依次沉積a-Si層和N+a-Si層，然后在N+a-Si層上涂覆光刻膠，曝光顯影后保留所需要有源層圖案區域上方的光刻膠，將其他區域光刻膠除去，再通過干法刻蝕將沒有受光刻膠保護的a-Si層及N+a-Si層除去，最后再通過藥液反應將光刻膠剝離，從而形成有源層的圖形。

在生產過程中，由于環境、設備或其他異常原因不可避免地導致在膜層上附著塵埃、碎屑等異物，這些異物可在沉積過程中附著，也可在涂覆光刻膠的過程中或在進行干法刻蝕的時候附著，在對有源層進行干法刻蝕時，由于有源層上附著有異物，導致刻蝕氣體無法與有源層接觸反應，存在異物的位置將發生有源層膜層殘留現象，導致亮點不良，嚴重影響陣列基板的良品率。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種薄膜晶體管及陣列基板的制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠避免膜層殘留不良，提高陣列基板的良品率。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在基板上形成過渡層；

對所述過渡層進行構圖形成過渡層保留區域和過渡層未保留區域，所述過渡層未保留區域對應第一結構層的圖形；

在形成有所述過渡層的圖形的基板上形成用于形成所述第一結構層的材料層；

除去所述過渡層，所述材料層留在基板上的部分形成所述第一結構層的圖形。

進一步地，所述過渡層的材料為光刻膠材料。

進一步地，所述第一結構層為有源層。

進一步地，所述過渡層保留區域的表面具有凹凸結構，所述過渡層為正性光刻膠，形成表面具有凹凸結構的所述過渡層保留區域包括：

采用灰色調掩膜板對所述過渡層進行曝光，所述灰色調掩膜板包括有不透光區域、半透光區域和完全透光區域；

顯影后形成對應所述不透光區域的所述過渡層保留區域的第一部分、對應所述半透光區域的所述過渡層保留區域的第二部分和對應所述完全透光區域的所述過渡層未保留區域，其中，所述第一部分的過渡層的厚度大于所述第二部分的過渡層的厚度。

進一步地，所述過渡層保留區域的表面具有凹凸結構，所述過渡層為負性光刻膠，形成表面具有凹凸結構的所述過渡層保留區域包括：

采用灰色調掩膜板對所述過渡層進行曝光，所述灰色調掩膜板包括有不透光區域、半透光區域和完全透光區域；