[發(fā)明專利]錳錫氧化物類透明導電氧化物及利用其的多層透明導電膜以及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610073079.X | 申請日： | 2016-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN105845196B | 公開（公告）日： | 2017-10-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 崔志遠;崔源國;金鎮(zhèn)相;任咳摞 | 申請（專利權）人： | 韓國科學技術研究院 |
| 主分類號： | H01B1/08 | 分類號： | H01B1/08;H01B5/14;H01B13/00;C01G19/02;C01G45/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 物類 透明 導電 氧化物 利用 多層 及其 制備 方法 | ||
1.一種錳錫氧化物類透明導電氧化物，其特征在于，
具有MnxSn1-xO的組成且為非晶質，其中，0<x≤0.055。
2.根據權利要求1所述的錳錫氧化物類透明導電氧化物，其特征在于，
上述x為0.035～0.055。
3.根據權利要求1所述的錳錫氧化物類透明導電氧化物，其特征在于，
上述x為0.045。
4.一種多層透明導電膜，其特征在于，
包括：
錳錫氧化物類透明導電氧化物，具有MnxSn1-xO的組成且為非晶質，其中，0<x≤0.055；
金屬薄膜，層疊于上述錳錫氧化物類透明導電氧化物上；以及
錳錫氧化物類透明導電氧化物，層疊于上述金屬薄膜上，具有MnxSn1-xO的組成且為非晶質，其中，0<x≤0.055。
5.根據權利要求4所述的多層透明導電膜，其特征在于，
上述x為0.035～0.055。
6.根據權利要求4所述的多層透明導電膜，其特征在于，
上述x為0.045。
7.根據權利要求4所述的多層透明導電膜，其特征在于，
上述金屬薄膜為Ag、Au、Cu、Pd、Pt、Ni、Al、Y、La、Mg、Ca、Fe、Pb及Zn中的任一種或它們的合金。
8.根據權利要求4所述的多層透明導電膜，其特征在于，
上述錳錫氧化物類透明導電氧化物具有20～200nm的厚度，上述金屬薄膜具有5～50nm的厚度。
9.一種多層透明導電膜的制備方法，其特征在于，
包括：
在基板上層疊具有MnxSn1-xO的組成且為非晶質的錳錫氧化物類透明導電氧化物的步驟，其中，0<x≤0.055；
在上述錳錫氧化物類透明導電氧化物上層疊金屬薄膜的步驟；以及
在上述金屬薄膜上層疊具有MnxSn1-xO的組成且為非晶質的錳錫氧化物類透明導電氧化物的步驟，其中，0<x≤0.055。
10.根據權利要求9所述的多層透明導電膜的制備方法，其特征在于，
上述x為0.035～0.055。
11.根據權利要求9所述的多層透明導電膜的制備方法，其特征在于，
上述x為0.045。
12.根據權利要求9所述的多層透明導電膜的制備方法，其特征在于，
上述金屬薄膜為Ag、Au、Cu、Pd、Pt、Ni、Al、Y、La、Mg、Ca、Fe、Pb及Zn中的任一種或它們的合金。
13.根據權利要求9所述的多層透明導電膜的制備方法，其特征在于，
上述錳錫氧化物類透明導電氧化物以20～200nm的厚度進行層疊，上述金屬薄膜以5～50nm的厚度進行層疊。
14.根據權利要求9所述的多層透明導電膜的制備方法，其特征在于，
上述基板為玻璃基板或高分子基板。
15.根據權利要求14所述的多層透明導電膜的制備方法，其特征在于，
上述高分子基板由聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯及聚對苯二甲酸乙二醇酯中的任一種材質形成。
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