[發明專利]一種采用干式刻蝕方法獲得碳化硅襯底的方法有效
| 申請號： | 201610072249.2 | 申請日： | 2016-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN105632901B | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發明（設計）人： | 王錫銘 | 申請（專利權）人： | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人： | 尹振啟 |
| 地址： | 北京市大興區經濟*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應腔 抽真空 干式刻蝕 刻蝕氣體 襯底 加熱 混合氣體 碳化硅 機械加工過程 腐蝕性氣體 碳化硅單晶 晶片表面 無損傷 原子級 去除 載氣 損傷 重復 加工 | ||
1.一種采用干式刻蝕方法獲得碳化硅襯底的方法，該方法包括如下步驟：
步驟1）將待處理的碳化硅單晶襯底置于反應腔內，對該反應腔抽真空至10
步驟2）對反應腔抽真空至10
步驟3）維持反應腔真空度在10
步驟4）向反應腔通入所述混合氣體至50Kpa，并加熱至1300-1900℃，在該真空度和溫度下維持30分鐘后再次抽真空；
步驟5）保持所述步驟4）中的加熱溫度進行干式刻蝕，重復多次向反應腔通入刻蝕氣體至1-120Kpa后抽真空至10
其中，步驟1）、步驟3）、步驟4）重復多次進入下一步驟。
2.如權利 要求1所述的采用干式刻蝕方法獲得碳化硅襯底的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為氯化氫、氨氣、硅烷或氫氣。
3.如權利 要求1所述的采用干式刻蝕方法獲得碳化硅襯底的方法，其特征在于，所述載氣為氮氣或惰性氣體。
4.如權利 要求1所述的采用干式刻蝕方法獲得碳化硅襯底的方法，其特征在于，所述混合氣體中刻蝕氣體的體積比為5%，載氣氣體的體積比為95%。
5.如權利 要求1所述的采用干式刻蝕方法獲得碳化硅襯底的方法，其特征在于，在所述步驟1）之前需要對碳化硅襯底進行清洗，以保證刻蝕過程中的表面一致性。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
