[發明專利]一種電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的方法在審
| 申請號： | 201610072243.5 | 申請日： | 2016-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN105695682A | 公開（公告）日： | 2016-06-22 |
| 發明（設計）人： | 鄭金菊;方允樟;吳鋒民;葉慧群;金林楓;李文忠;馬云;孫懷君 | 申請（專利權）人： | 浙江師范大學 |
| 主分類號： | C21D1/26 | 分類號： | C21D1/26;C21D9/52;C22C45/02;H01F1/047 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 321004 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電流 應力 退火 制備 靈敏 線性 區寬磁敏 材料 方法 | ||
1.一種電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的方法，其特征在于， 所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的方法，在應力作用和低 于晶化電流的條件下對非晶材料進行電流退火。
2.如權利要求1所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的方 法，其特征在于，對非晶材料進行熱處理過程中，給被處理材料施加縱向張應 力，所施加張應力為小于斷裂強度的任何應力。
3.如權利要求1和2所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料 的方法，其特征在于，熱處理的退火電流低于晶化退火電流5％～50％；熱處理 的退火電流優選為低于晶化退火電流10％～40％，最佳為低于晶化退火電流 15％～30％；熱處理的持續時間為5分鐘～600分鐘，優選為10分鐘～180分鐘， 最佳為20分鐘～40分鐘。
4.如權利要求1至3所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料 的方法，其特征在于，被退火材料的形狀為便于在熱處理中施加縱向應力的絲、 帶、膜形狀。
5.如權利要求1至4所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料 的方法，其特征在于，被退火材料的組分為能制備成非晶合金，并且能在退火 過程中通過應力作用感生出具有寬線性靈敏磁敏特性的金屬、合金、半導體材 料。
6.如權利要求1至5所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料 的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
步驟一、采用快淬法制備非晶材料；
步驟二、在應力作用下對步驟一制得的非晶材料進行退火，其退火電流為 10A/mm2～60A/mm2，優選為20A/mm2～50A/mm2，最佳為30A/mm2～ 40A/mm2，退火持續時間為5分鐘～600分鐘，優選為10分鐘～60分鐘，最佳 為20分鐘～40分鐘。
7.如權利要求6所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的方 法，其特征在于，步驟二中所述的保護氣體為退火過程能阻止被退火材料表面 氧化的任何一種氣體，優選為氮氣。
8.如權利要求6所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的方 法，其特征在于，步驟二中所述的應力作用的應力值為10MPa～900MPa，優 選為100MPa～700MPa，最佳為300MPa～500MPa，應力作用時間為整個退 火過程或其中一個退火階段。
9.如權利要求6所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的方 法，其特征在于，步驟二中退火環境溫度為0℃～40℃，優選為10℃～30℃， 最佳為15℃～20℃。
10.如權利要求6所述的電流應力退火制備靈敏高和線性區寬磁敏材料的 方法，其特征在于，步驟一具體包括：
步驟一、按目標要求組分配置母料；
步驟二、按目標要求制備不同形狀的非晶材料。
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