[發明專利]陣列基板及陣列基板的制備方法

在審

• 申請號: 201610072229.5
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN105702684A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 馬偉欣
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/02
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括呈陣列狀分布的多個低溫 多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括：基板及設置在所述基板 同側的低溫多晶硅層、第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極及漏極，所述低 溫多晶硅層相較于所述第一絕緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極及 所述漏極鄰近所述基板的表面設置，所述第一絕緣層覆蓋所述低溫多晶硅層， 所述第一絕緣層開設有第一貫孔及第二貫孔，所述柵極設置在所述第一絕緣層 遠離所述低溫多晶硅層的表面上，且所述柵極對應所述低溫多晶硅層設置，所 述第二絕緣層覆蓋所述柵極，所述第二絕緣層開設有第三貫孔及第四貫孔，所 述第三貫孔對應所述第一貫孔設置，所述第四貫孔對應所述第二貫孔設置，所 述源極的一端與所述第二絕緣層遠離所述柵極的表面接觸，且所述源極通過所 述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述低溫多晶硅層的一端，所述漏極的一端與 所述第二絕緣層遠離所述柵極的表面接觸，且所述漏極通過所述第二貫孔及所 述第四貫孔連接所述低溫多晶硅層的另一端，其中，所述第二絕緣層為氧化硅 層。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管 包括遮光層，所述遮光層設置于所述基板的表面，且所述低溫多晶硅層、所述 第一絕緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極及所述漏極通過所述遮光 層設置在所述基板的同側，且所述遮光層對應所述低溫多晶硅層設置。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管 還包括緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述遮光層，所述低溫多晶硅層、所述第一絕 緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極及所述漏極通過所述緩沖層及所 述遮光層設置在所述基板的表面。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管 還包括第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層連接所述源極與所述低溫多晶硅 層，所述第一歐姆接觸層用于降低所述源極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電 阻，所述第一歐姆接觸層包括第一輕摻雜區及第一重摻雜區，所述第一輕摻雜 區與所述低溫多晶硅層接觸，所述第一重摻雜區設置在所述源極與所述第一輕 摻雜區之間，且所述第一重摻雜區連接所述源極與所述第一輕摻雜區，其中， 所述第一輕摻雜區的摻雜濃度小于所述第一重摻雜區的摻雜濃度。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管 還包括第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層連接所述漏極與所述低溫多晶硅 層，所述第二歐姆接觸層用于降低所述漏極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電 阻，所述第二歐姆接觸層包括第二輕摻雜區及第二重摻雜區，所述第二輕摻雜 區與所述低溫多晶硅層接觸，所述第二重摻雜區設置在所述漏極與所述第二輕 摻雜區之間，且所述第二重摻雜區連接所述漏極與所述第二輕摻雜區，其中， 所述第二輕摻雜區的摻雜濃度小于所述第二重摻雜區的摻雜濃度。

6.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法包括：

提供基板；

鄰近所述基板的表面形成低溫多晶硅層；

形成覆蓋所述低溫多晶硅層的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層遠離所述低溫多晶硅層的表面形成對應所述低溫多晶硅 層的柵極；

形成覆蓋所述柵極的氧化硅層；

在所述第一絕緣層上開設對應所述低溫多晶硅層相對的兩端的第一貫孔及 第二貫孔，在所述氧化硅層上開設對應所述第一貫孔設置的第三貫孔及對應所 述第二貫孔設置的第四貫孔；

形成覆蓋所述氧化硅層的金屬層，圖案化所述金屬層以保留對應所述第三 貫孔及所述第四貫孔的金屬層，以分別形成源極和漏極。

7.如權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟“形成 覆蓋所述柵極的氧化硅層”包括：

提供氣態的SiH₄、氣態的PH₃以及氣態的O₂，利用化學氣相沉積成膜方法， 形成所述氧化硅層。