[發(fā)明專利]一種紅外非線性光學(xué)晶體、其制備方法及應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610071451.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-02-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107022793B | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳玲;黎艷艷;吳立明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào): | G02F1/355 | 分類號(hào): | G02F1/355;C30B29/46;C30B1/10 |
| 代理公司: | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 劉元霞;牛艷玲 |
| 地址: | 350002 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紅外 非線性 光學(xué) 晶體 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種紅外非線性光學(xué)晶體、其制備方法和應(yīng)用。該紅外非線性光學(xué)晶體具有如下所示的分子式:A18X21Y6M48,其中,A為Ba、Sr或Pb;X為Zn、Cd或Mn;Y為Ga、In或Al;M為S、Se或Te。該晶體屬于三方晶系,空間群為R3。其中的晶體Ba18Zn21Ga6S48是I型相位匹配非線性光學(xué)材料,在150~210μm顆粒度范圍,其粉末倍頻強(qiáng)度和激光損傷閾值分別是商用材料AgGaS2的0.5倍和28倍,其它晶體具有相同或相似的結(jié)構(gòu)和光學(xué)等性能,在軍事和民用上有著重要的應(yīng)用前景,可用于光電對(duì)抗、資源探測(cè)、空間反導(dǎo)和通訊等方面。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種紅外非線性光學(xué)晶體及其制備方法和應(yīng)用,屬于無機(jī)非線性光學(xué)材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
非線性光學(xué)晶體是對(duì)于激光強(qiáng)電場(chǎng)顯示二次及以上非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體。非線性光學(xué)效應(yīng)來源于激光與介質(zhì)之間的相互作用,當(dāng)激光在具有非零的二階極化率的介質(zhì)中傳播時(shí)會(huì)產(chǎn)生非線性光學(xué)效應(yīng),如差頻、和頻、激光倍頻和參量振蕩和放大等。它可以用來進(jìn)行激光頻率轉(zhuǎn)換,擴(kuò)展激光器的可調(diào)諧范圍,用來調(diào)制激光的強(qiáng)度和相位及實(shí)現(xiàn)激光信號(hào)的全息存儲(chǔ),消除波前疇變的自泵浦相位共軛等。非線性光學(xué)晶體在高新技術(shù)、現(xiàn)代軍事及民用上發(fā)揮了越來越重要的作用。
非線性光學(xué)晶體根據(jù)其透光波段范圍可分為紫外、可見及紅外光區(qū)三大類。紫外及可見光區(qū)波段的非線性光學(xué)晶體(如KH2PO4(KDP),KTiOPO4(KTP),β-BaB2O4(BBO),LiB3O5(LBO))都具有優(yōu)異的光學(xué)性能,并且已在實(shí)際中得到了廣泛的應(yīng)用。
由于金屬和氧化學(xué)鍵(M–O)的振動(dòng)吸收使得氧化物的紅外透過極差,因此傳統(tǒng)的氧化物非線性光學(xué)晶體如KDP、KTP、BBO、LBO等在紅外波段的使用受到嚴(yán)重的限制。和氧化物相比,硫?qū)俜蔷€性光學(xué)材料具有極化更強(qiáng)的M–Q鍵(Q=S,Se,Te),在紅外區(qū)具有較寬的透過范圍和較大的二階非線性光學(xué)系數(shù),非常適合應(yīng)用于紅外波段。如硫?qū)偌t外非線性光學(xué)材料AgGaQ2(Q=S,Se)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。然而,AgGaQ2(Q=S,Se)的能隙較小導(dǎo)致其激光損傷閾值低,從而限制了其實(shí)際應(yīng)用。
因此尋找或探索合成綜合性能優(yōu)異的新型紅外非線性光學(xué)晶體材料是當(dāng)前非線性光學(xué)材料研究領(lǐng)域的難點(diǎn)和熱點(diǎn)之一。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種紅外非線性光學(xué)晶體、其制備方法和應(yīng)用,該非線性光學(xué)晶體為具有紅外倍頻響應(yīng)的材料,不僅具有優(yōu)良的紅外二階非線性光學(xué)性質(zhì)和較高的激光損傷閾值,還具有熒光性質(zhì),其粉末倍頻強(qiáng)度和激光損傷閾值分別可以達(dá)到AgGaS2的0.5倍和28倍。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種紅外非線性光學(xué)晶體,其具有如下所示的分子通式:
A18X21Y6M48;
其中,A為Ba、Sr或Pb;X為Zn、Cd或Mn;Y為Ga、In或Al;M為S、Se或Te。
優(yōu)選地,所述紅外非線性光學(xué)晶體的晶體結(jié)構(gòu)屬于三方晶系,空間群為R3。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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