[發明專利]一種金剛線硅片的制絨方法及應用有效
| 申請號： | 201610071341.7 | 申請日： | 2016-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN105696084B | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 葉飛;蔣方丹;金浩 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0236 | 分類號： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金剛 硅片 方法 應用 | ||
1.一種金剛線硅片的制絨方法，其特征在于，包括以下步驟：
a)將金剛線硅片依次進行酸處理和水洗，得到預處理后的金剛線硅片；
將預處理后的金剛線硅片依次進行第一處理和水洗，得到處理后的金剛線硅片；所述第一處理的處理液為AgNO3溶液；所述第一處理的處理液的濃度為0.1mol/L～0.3mol/L；b)將處理后的金剛線硅片依次進行第二處理和堿洗，得到制絨后的金剛線硅片；所述第二處理的處理液為HF和H2O2的混合溶液。
2.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟a)中所述第一處理的溫度為20℃～30℃，時間為15s～25s。
3.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟b)中所述第二處理的處理液中HF的質量百分含量為15％～25％，H2O2的質量百分含量為2.5％～3.5％。
4.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟b)中所述第二處理的溫度為20℃～30℃，時間為10min～20min。
5.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟b)中所述堿洗的過程具體為：
采用堿溶液對處理后的金剛線硅片進行清洗，得到制絨后的金剛線硅片；所述堿溶液為KOH溶液；所述堿溶液中KOH的質量百分含量為1％～2％。
6.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟b)中所述堿洗的溫度為20℃～30℃，時間為100s～200s。
7.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，所述酸處理的過程具體為：
采用酸溶液對金剛線硅片進行清洗，得到酸處理后的金剛線硅片；所述酸溶液為HNO3和HF的混合溶液。
8.一種權利要求1～7任一項所述的制絨方法得到的制絨后的金剛線硅片在太陽能電池中的應用。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
