[發明專利]一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝在審
| 申請號: | 201610071150.0 | 申請日: | 2016-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN105732196A | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 張川;張千;張建平 | 申請(專利權)人: | 河北麥森鈦白粉有限公司 |
| 主分類號: | C05G3/00 | 分類號: | C05G3/00 |
| 代理公司: | 石家莊元匯專利代理事務所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人: | 劉聞鐸 |
| 地址: | 050000 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 氧化 植物 生長 促進劑 制備 工藝 | ||
1.一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:該生長促進劑利用偏鈦酸和硫酸為原料,輔助以納米材料,最終制得納米級二氧化鈦植物生長促進劑,其制備工藝包括以下步驟:
a、偏鈦酸溶解于硫酸中獲得硫酸氧鈦溶液;
b、將硫酸氧鈦溶液進行水解得到偏鈦酸水解液;
c、水解液中加入納米材料,并使納米材料分散均勻;
d、對水解料進行干燥得到干燥料;
e、對干燥料進行粉碎,在粉碎過程中用有機包膜劑對納米粒子外表面進行包膜,最終得到納米二氧化鈦植物生長促進劑。
2.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述步驟a中,偏鈦酸為水洗至Fe含量在1000ppm-1500ppm之間的偏鈦酸,硫酸采用98%的濃硫酸。
3.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述步驟a中,偏鈦酸為粉末狀的水合二氧化鈦,計量時,硫酸與二氧化鈦的質量之比為2.1:1-2.4:1,并且在98℃-100℃下攪拌溶解,所用攪拌機的轉速為80r/min。
4.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述步驟b中,水解時將硫酸氧鈦和氨水并流加入水解鍋中進行常溫常壓水解,硫酸氧鈦和氨水的加入速比使得水解鍋內混合溶液的pH值在5.5-7.5之間,水解時通過乳化機進行高速乳化,乳化機的轉速大于18000r/min。
5.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述步驟c中,納米材料包括粒徑為5-15nm的納米碳酸鈣、粒徑為5-15nm的納米氧化鎂及粒徑小于20nm的納米氧化鋅,加入量分別為二氧化鈦質量的3.6%、3%及3%。
6.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述步驟d中,干燥所用的設備為噴霧干燥機。
7.根據權利要求6所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述干燥機的進口熱空氣的溫度為550℃-600℃,排出口干燥料的溫度為100℃-110℃,干燥室的壓力為0.196MPa。
8.根據權利要求1所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述步驟e中,粉碎所用設備為氣流粉碎機,粉碎過程中加入0.75%的有機硅對納米二氧化鈦進行包膜。
9.根據權利要求8所述的一種納米二氧化鈦植物生長促進劑的制備工藝,其特征在于:所述的有機硅為含有1%CPPU細胞分裂素的有機硅。
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