[發(fā)明專利]電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610069955.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-02-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106803533A | 公開(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝明宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L45/00 | 分類號(hào): | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人: | 馬雯雯,臧建明 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電阻 隨機(jī)存取 內(nèi)存 及其 制造 方法 | ||
1.一種電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存,其特征在于,包括:
第一電極,配置于基底上;
第二電極,配置于所述第一電極與所述基底之間;
可變電阻氧化物層,配置于所述第一電極與所述第二電極之間;
硬掩膜層,配置于所述第一電極上;以及
氫阻擋層,配置于所述硬掩膜層與所述第一電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存,其特征在于,所述氫阻擋層的材料包括金屬氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存,其特征在于,所述金屬氧化物包括氧化鋁、氧化鈦或氧化銥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存,其特征在于,所述氫阻擋層的厚度介于5nm至100nm之間。
5.一種電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存的制造方法,其特征在于,包括:
于基底上形成第一電極;
于所述第一電極與所述基底之間形成第二電極;
于所述第一電極與所述第二電極之間形成可變電阻氧化物層;
于所述第一電極上形成硬掩膜層;以及
于所述硬掩膜層與所述第一電極之間形成氫阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存的制造方法,其特征在于,所述氫阻擋層的材料包括金屬氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存的制造方法,其特征在于,所述氫阻擋層的形成方法包括進(jìn)行物理氣相沉積制程或原子層沉積制程。
8.一種電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存,其特征在于,包括:
第一電極,配置于基底上;
第二電極,配置于所述第一電極與所述基底之間;
可變電阻氧化物層,配置于所述第一電極與所述第二電極之間;以及
硬掩膜層,配置于所述第一電極上,其中所述硬掩膜層是藉由進(jìn)行物理氣相沉積制程而形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存,其特征在于,所述硬掩 膜層中不含有氫。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存,其特征在于,所述硬掩膜層的厚度介于50nm至200nm之間。
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