[發(fā)明專利]Ni-Mn-Ga單晶合金顆粒的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610069938.8 | 申請日: | 2016-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN105624589B | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫小剛;魏克湘;吳安如 | 申請(專利權)人: | 湖南工程學院 |
| 主分類號: | C22C45/04 | 分類號: | C22C45/04;C22C1/02;C30B29/52;B22F9/04;B22F1/00 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產(chǎn)權代理有限公司 31253 | 代理人: | 熊嫻;馮子玲 |
| 地址: | 411101 *** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ni mn ga 合金 顆粒 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種Ni?Mn?Ga單晶合金顆粒的制備方法,是通過將制備的Ni?Mn?Ga多晶合金錠制備為非晶合金絲,非晶合金絲轉(zhuǎn)化為多晶合金絲后再轉(zhuǎn)化為單晶合金顆粒的方法,步驟為:制備Ni?Mn?Ga合金錠;將合金錠加熱至熔化,冷卻后得到非晶合金絲;再將非晶合金絲熱處理,得到多晶合金絲;最后將多晶合金絲破碎成單晶合金顆粒。與現(xiàn)有技術相比,采用本發(fā)明提供的方法制備而得的單晶的合金顆粒裂紋等缺陷少,顆粒呈現(xiàn)長條形,有利于復合材料磁致應變的發(fā)揮;本發(fā)明工藝簡單,生產(chǎn)成本低,制備時間短,具有很大的市場及應用價值。
技術領域
本發(fā)明涉及材料領域,具體為一種合金的制備方法,尤其是Ni-Mn-Ga單晶合金顆粒的制備方法。
背景技術
形狀記憶合金(shape memory alloy),即擁有“記憶”效應的合金,具有形狀記憶效應(shape memory effect),廣泛應用于臨床醫(yī)療、航空航天等領域,例如人造骨骼、傷骨固定加壓器、牙科正畸器、各類腔內(nèi)支架、栓塞器、心臟修補器、血栓過濾器、介入導絲和手術縫合線、人造衛(wèi)星天線;形狀記憶合金還可應用于日常生活,例如防燙傷閥、眼鏡框架和移動電話天線和火災檢查閥門等。隨著形狀記憶合金材料的出現(xiàn)和開發(fā)利用,其在智能材料系統(tǒng)中受到高度重視,應用前景廣闊。
據(jù)了解,磁致應變合金(即磁性形狀記憶合金)是一種新型的形狀記憶材料,既能實現(xiàn)溫控又能實現(xiàn)磁控。Ni-Mn-Ga合金是繼傳統(tǒng)形狀記憶材料和磁致伸縮材料之后開發(fā)出來的一類新型功能材料——鐵磁形狀記憶材料,其顯著特征是它的馬氏體孿晶變體可以由外加磁場驅(qū)動重新排列或退孿晶化而顯示出磁致應變;它不僅具有傳統(tǒng)形狀記憶合金的溫控形狀記憶效應和大輸出應變,還兼有鐵磁性、大磁致應變、大輸出應力、高響應頻率和可精確控制等特點,具有潛在的應用價值。自上世紀90年代以來,一直是材料科學的研究熱點。
由于Ni-Mn-Ga合金多晶體周圍晶界的束縛,多晶體表現(xiàn)出遠低于單晶的磁致應變量,另外Ni-Mn-Ga合金屬于哈斯勒型(Heusler)金屬間化合物,其本征脆性也限制了其工程應用,因此,為了解決上述在實際應用中帶來的困難,現(xiàn)有的關于Ni-Mn-Ga合金的研究現(xiàn)狀可分為以下幾種:
(一)Ni-Mn-Ga合金薄膜或纖維
由于Ni-Mn-Ga合金被制備成類似為一維(纖維)或二維(薄膜)材料,比起三維的塊體材料,大大減小周圍晶粒的束縛,因此可能會表現(xiàn)出較大的磁致應變,另外也有利于改善脆性問題。如Ni-Mn-Ga合金薄膜是用磁控濺射或分子束取向生長等方法制備薄膜合金,具有在微電子機械系統(tǒng)方面的應用價值,但薄膜或纖維只能用于特定的應用場所。
(二)Ni-Mn-Ga單晶塊體
由于三維的單晶材料在發(fā)生磁致應變時候沒有晶界的約束,表現(xiàn)出較大的應變,且可隨技術的發(fā)展,應變能力逐漸提高,如:從1996年報道的6%到現(xiàn)在的10%以上,單晶材料是目前已知的具有最大的磁致應變量的結構。然而單晶材料制備成本高,設備復雜,單晶的尺寸受限等等問題較難解決。
(三)Ni-Mn-Ga/有機物復合材料
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