[發明專利]太陽能電池及其模組

有效

• 申請號: 201610069810.1
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN106920852B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 陳亮斌
• 申請（專利權）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/0224
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍;顧以中

一種太陽能電池及其模組，該電池包含一基板、一第一本質非晶硅層、一第一非晶硅層、一第一透明導電層、二第一匯流電極、二第一連接電極、數個第一柵線電極，及數個第二柵線電極。該第一透明導電層具有一本體區與一平均厚度小于該本體區的周邊區。二第一匯流電極分別鄰近該基板的二個第一側邊并沿第一側邊延伸。每一第一匯流電極與第一連接電極的位置覆蓋該周邊區，借此可免除以往將匯流電極設置于靠近基板中央處對基板造成額外的遮光效果，故本發明可提升電池受光面積、提升該第一透明導電層邊緣處的電流收集效果，并降低串聯電阻。

技術領域

本發明涉及一種太陽能電池及其模組，特別是涉及一種異質接面結合本質非晶硅薄膜的太陽能電池及其模組。

背景技術

參閱圖1、2，一般異質接面結合本質非晶硅薄膜(Heterojunction withIntrinsic Thin-layer,簡稱HIT)太陽能電池9，通常包含：一具有相對的一正面911與一背面912的n型硅基板91、二分別位于該正面911與該背面912的本質非晶硅層(intrinsicamorphous silicon layer,簡稱i-layer a-Si)92、一位于正面911的該本質非晶硅層92上的p型非晶硅層(p-type amorphous silicon layer,簡稱p-type a-Si)93、一位于背面912的該本質非晶硅層92上的n+型非晶硅層(n-type amorphous silicon layer,簡稱n+-typea-Si)94、二分別位于該p型非晶硅層93與該n+型非晶硅層94上的透明導電層95、95’，以及分別位于二透明導電層95、95’上的一正面電極96與一背面電極97。

該正面電極96包括二間隔的匯流電極961，以及數個橫向連接二匯流電極961的指狀電極962。二匯流電極961的位置，通常是靠近該基板91中央處，或者至少是設置于離該基板91左右兩側周緣有一段距離的位置。

該透明導電層95是利用真空鍍膜方式形成，鍍膜時通常會配合遮罩將該p型非晶硅層93周圍部位遮蔽后再鍍膜，使該透明導電層95不會覆蓋到該p型非晶硅層93的邊緣區域931，避免該透明導電層95以整面覆蓋方式鍍膜時，若該透明導電層95還延伸至基板91側面，則可能會與該基板91背面912上的導電層接觸而產生寄生分流(Parasitic Shunting)現象。但使用遮罩鍍膜后，會因為遮罩的遮蔭效果，導致透明導電層95于周邊區域951的鍍膜厚度較薄，甚至是最靠近基板91側邊處即呈現無透明導電層95的露出p型非晶硅層93的情形。

由于透明導電層95一般使用透明導電氧化材料，兼具導電與抗反射效果，但因為該p型非晶硅層93的邊緣區域931表面沒有任何透明導電鍍膜，加上該透明導電層95的周邊區域951的薄膜厚度較薄，因此該邊緣區域931與該周邊區域951容易反光，成為不利于受光、使光線進入的區域，這些區域屬于受光效能較差的區域。而且該邊緣區域931與該周邊區域951的電流收集效果較差，串聯電阻高，上述缺失有待改良。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可提升電池邊緣處的電流收集效果、提升光電轉換效率的太陽能電池及其模組。