[發明專利]一種N型背結太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201610068859.5
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN105489712B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 張高潔;劉運宇;吳堅;王栩生;邢國強
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 張海英,林波

1.一種N型背結太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)堿拋光：利用堿溶液對N型硅片的背面進行堿拋光處理；

2)硼摻雜：對N型硅片的背面進行硼摻雜處理，以形成p⁺發射層，控制N型硅片的背面表面的摻雜濃度峰值達到2E²⁰cm^-3以上；

3)清洗：對N型硅片的背面進行清洗，以去除N型硅片的背面的硼硅玻璃層或氧化層；

4)堿制絨：利用堿溶液對N型硅片的正面進行制絨處理，得到N型背結太陽能電池的主體結構；

將步驟4)中處理后的主體結構經磷摻雜、沉積鈍化膜、金屬化處理，即可得到N型背結太陽能電池。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，

在所述步驟1)之前還包括預清洗：將原始的N型硅片進行RCA清洗，去除N型硅片表面的雜質；

所述預清洗采用的溶液為RCA清洗液，且RCA清洗液中的NH₄OH、H₂O₂、H₂O的體積比為1：1：5；

所述步驟1)中的堿拋光采用的溶液為堿溶液，堿溶液為質量濃度20～30％的TMAH溶液、或質量濃度15～25％的NaOH溶液。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2)中的硼摻雜為背面全面積硼摻雜或背面局部硼摻雜。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2)中的硼摻雜具體為：硼擴散或硼注入。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，當所述步驟2)中的硼摻雜具體為硼擴散時，所述步驟3)中的清洗采用的溶液為質量濃度8～12％的HF溶液，以去除N型硅片的背面的硼硅玻璃層。

6.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，當所述步驟2)中的硼摻雜具體為硼注入時，控制N型硅片的背面表面的摻雜濃度峰值達到2E²⁰cm^-3以上，所述步驟3)中的清洗采用的溶液為質量濃度8～12％的HF溶液，以去除N型硅片的背面的氧化硅層。

7.根據權利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，

所述磷摻雜具體為：當所述步驟2)中的硼摻雜為背面全面積硼摻雜時，對N型硅片的正面進行磷摻雜處理；當所述步驟2)中的硼摻雜為背面局部硼摻雜時，對N型硅片的正面和背面分別進行磷摻雜處理；

所述沉積鈍化膜具體為：對N型硅片的表面沉積鈍化膜；

所述金屬化具體為：對N型硅片的表面印刷漿料，形成電極。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述磷摻雜為磷擴散；

在磷擴散之前還包括制作掩蔽膜，制作掩蔽膜具體為：在硼摻雜處理后的N型硅片的硼擴散面形成掩蔽膜；

在磷擴散之后、沉積鈍化膜之前還包括HF去除掩蔽膜以及PSG，所述HF去除掩蔽膜以及PSG具體為：對N型硅片的正面去除PSG、背面去除掩蔽膜。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述磷摻雜為磷注入。

10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟4)中的堿制絨采用的溶液為質量濃度為1～2％的NaOH溶液。