[發明專利]具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法在審
| 申請號： | 201610068672.5 | 申請日： | 2016-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN107026227A | 公開（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發明（設計）人： | 魏天使;徐慧文;李起鳴 | 申請（專利權）人： | 映瑞光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201306 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 光滑 側壁 垂直 led 芯片 結構 制備 方法 | ||
1.一種具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
1)提供生長襯底，于所述生長襯底上依次生長UID-GaN層、N-GaN層、多量子阱層以及P-GaN層；
2)于所述P-GaN層上形成P電極；
3)提供鍵合襯底，將所述鍵合襯底與步驟2)得到的結構鍵合在一起，且所述P電極的表面與所述鍵合襯底的表面緊密貼合；
4)剝離所述生長襯底；
5)去除所述UID-GaN層，并采用ICP刻蝕工藝去除切割道區域的GaN，同時形成臺階結構；
6)于所述臺階結構的側壁及切割道區域形成鈍化保護層；
7)對所述N-GaN層表面進行表面粗化，形成粗化微結構；
8)于表面粗化后的所述N-GaN層表面制備N電極。
2.根據權利要求1所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：步驟1)中，所述生長襯底為藍寶石襯底。
3.根據權利要求1所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：步驟2)包括以下步驟：
2-1)于所述P-GaN層表面形成歐姆接觸的ITO透明導電膜；
2-2)于所述ITO透明導電膜表面形成反射層，所述反射層包覆所述ITO透明導電膜；
2-3)于所述反射層表面形成金屬鍵合層。
4.根據權利要求1所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：步驟3)中，所述鍵合襯底包括Si襯底、W/Cu襯底及Mo/Cu襯底中的一種。
5.根據權利要求1所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：步驟4)中，采用激光剝離工藝剝離所述生長襯底。
6.根據權利要求1所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：步驟5)中，采用ICP刻蝕法去除所述UID-GaN層，并采用ICP刻蝕法去除切割道區域的GaN，所述ICP刻蝕法采用的刻蝕氣體包括Cl2及BCl3的一種或其混合氣體。
7.根據權利要求1所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：步驟6)中，所述鈍化保護層為SiO2層。
8.根據權利要求1所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：步驟7)中，采用濕法腐蝕工藝對所述N-GaN層表面進行表面粗化，使N-GaN層表面形成金字塔形粗化微結構。
9.根據權利要求8所述的具有光滑側壁的垂直LED芯片結構的制備方法，其特征在于：所述濕法腐蝕工藝采用的腐蝕溶液包括KOH及H3PO4中的一種或其混合溶液。
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