[發明專利]一種提高碳化硅半導體歐姆接觸特性的方法

在審

• 申請號: 201610066721.1
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105702712A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 王德君;秦福文;黃玲琴;李青洙
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L29/45
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 王樹本

1.一種提高碳化硅半導體歐姆接觸特性的方法，其特征在于包括以下步 驟：

步驟1、對碳化硅樣品進行傳統RCA清洗；

步驟2、將碳化硅樣品置于電子回旋共振微波等離子體系統中，進行氫等離 子體處理，具體包括以下子步驟：

(a)將步驟1清洗后的碳化硅樣品通過樣品臺載入石英放電室中；

(b)對放電室抽真空，當真空度低于10^-3Pa時，開始對樣品臺進行升溫處 理，溫度控制在100-600℃；

(c)開啟電子回旋共振微波等離子體系統中的微波源，功率控制在200-800 W，并向石英放電室通入流量為10-100sccm的氫氣產生氫等離子體，然后對 碳化硅樣品處理1-120min；

(d)將樣品臺冷卻到室溫后，再向裝樣室充入氮氣，并在氮氣氣氛保護下 從裝樣室中取出碳化硅樣品；

步驟3、通過光刻在碳化硅樣品上形成電極圖形，具體包括以下子步驟：

(a)一次烘干，將碳化硅樣品置于熱烘箱里烘干5-20min，溫度控制在 50-100℃；

(b)甩膠，待熱烘箱溫度冷卻至室溫時，取出碳化硅樣品，使用正膠為 光刻膠，采用旋轉法進行涂膠，轉速控制在3000-4000rpm，時間控制在30-60 s；

(c)曝光，采用光刻機透過電極掩膜版紫外線曝光5-20s；

(d)二次烘干，將曝光后的碳化硅樣品置于熱烘箱里烘干10-30min， 溫度控制在60-90℃；

(e)顯影，待熱烘箱溫度冷卻至室溫時，取出碳化硅樣品，在顯影液中 浸泡10-30s顯現出電極圖形；

(f)清洗，使用去離子水對碳化硅樣品清洗數遍，并用氮氣吹干；

(g)堅膜，對碳化硅樣品進行堅膜，溫度控制在60-90℃，時間控制在 5-20min；

步驟4、采用磁控濺射的方法淀積金屬電極材料鈦或碳化鈦，待堅膜溫 度冷卻至室溫時，取出碳化硅樣品，置于基底真空度小于10^-3Pa的磁控濺射儀 中沉積高純Ti薄膜，厚度控制在100-400nm，時間控制在5-30min；

步驟5、對碳化硅樣品采用丙酮在超聲清洗器中剝離掉電極以外的金屬， 并用氮氣吹干；

步驟6、在氮氣、氮氫混合氣或氬氣氛圍下對碳化硅樣品進行退火處理， 溫度控制在200-500℃，時間控制在5-20min。