[發(fā)明專(zhuān)利]一種快速測(cè)量半導(dǎo)體薄膜面向?qū)嵯禂?shù)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610066501.9
• 申請(qǐng)日: 2016-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105738408A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林歡;董華;王永春;王洪偉;張文嬋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 青島理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01N25/20
• 分類(lèi)號(hào): G01N25/20
• 代理公司: 北京雙收知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11241
• 代理人: 陳磊;曲超

1.一種快速測(cè)量半導(dǎo)體薄膜面向?qū)嵯禂?shù)的方法，該方法為給低維、低導(dǎo)熱系數(shù)的基礎(chǔ)材料表面真空濺射厚度為δ₁的金薄膜，并通過(guò)瞬態(tài)電熱技術(shù)計(jì)算其熱擴(kuò)散系數(shù)α_w，其特征在于：給所述濺射金薄膜的基礎(chǔ)材料上濺射n次厚度為δ₂的半導(dǎo)體薄膜形成n個(gè)樣品，在同等環(huán)境條件下對(duì)所述n個(gè)樣品分別通過(guò)瞬態(tài)電熱技術(shù)計(jì)算其熱擴(kuò)散系數(shù)α_eff，n，對(duì)n組α_eff，n進(jìn)行線性擬合得到slope，

所述slope＝4δ_max[k_c-α_w(ρc_p)_c]/πD(ρc_p)_w(1)

其中，δ_max＝n×δ₂，k是導(dǎo)熱系數(shù)，ρ是密度，c_p是比熱容，D是基礎(chǔ)材料的直徑，下標(biāo)c代表半導(dǎo)體薄膜層，下標(biāo)w代表鍍金膜的基礎(chǔ)材料，根據(jù)公式(1)即可求解厚度為δ₂的半導(dǎo)體薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)k_c。

2.如權(quán)利要求1所述的一種快速測(cè)量半導(dǎo)體薄膜面向?qū)嵯禂?shù)的方法，其特征在于：所述基礎(chǔ)材料為微米級(jí)玻璃纖維。

3.如權(quán)利要求1所述的一種快速測(cè)量半導(dǎo)體薄膜面向?qū)嵯禂?shù)的方法，其特征在于：所述δ₂為20-60nm的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的一種快速測(cè)量半導(dǎo)體薄膜面向?qū)嵯禂?shù)的方法，其特征在于：所述給濺射有金薄膜的基礎(chǔ)材料上濺射半導(dǎo)體薄膜的次數(shù)為4次。

5.如權(quán)利要求1所述的一種快速測(cè)量半導(dǎo)體薄膜面向?qū)嵯禂?shù)的方法，其特征在于：所述給濺射了金薄膜的基礎(chǔ)材料上濺射半導(dǎo)體薄膜采用Q150TS高真空鍍膜儀。